[發(fā)明專利]電致發(fā)光裝置及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310436180.3
• 申請日: 2013-09-23
• 公開（公告）號: CN103474453A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 程鴻飛;張玉欣
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/56
• 代理公司: 北京中博世達專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種電致發(fā)光裝置及其制備方法。

背景技術(shù)

有機發(fā)光二極管（Organic?Light?Emitting?Diode，OLED），又稱有機電激光顯示（Organic?Electroluminescence?Display,OELD），由于同時具備自發(fā)光，不需背光源、對比度高、厚度薄、視角廣、反應(yīng)速度快、使用溫度范圍廣、構(gòu)造及制程簡單等優(yōu)異特性，近來已普遍應(yīng)用于移動通信終端、個人數(shù)字助理（PDA）、掌上電腦等。

如圖1所示，一種現(xiàn)有有源矩陣型OLED顯示裝置，包括：彩膜基板20和陣列基板10，其中，陣列基板10包括：基板11，依次設(shè)置在基板11上的薄膜晶體管12陣列、保護層13和連接電極14，連接電極14通過保護層過孔與薄膜晶體管12的漏極連接；彩膜基板20包括：第二基板21，依次設(shè)置在第二基板21上的彩色濾光層（包括黑矩陣221和由黑矩陣221分隔開的色阻塊222R/G/B）、平坦層23、第一電極24、有機發(fā)光層（Organic?Electro-Luminescence，有機EL）25和第二電極26，制備時，先分別形成陣列基板10和彩膜基板20，然后，在陣列基板10或彩膜基板20的邊緣涂敷封框膠30，將陣列基板10與彩膜基板20對盒，使第二電極26與陣列基板10上的連接電極14一一對應(yīng)接觸，實現(xiàn)電連接。

為了使對盒后連接電極14和第二電極26充分接觸，提升薄膜晶體管12和第二電極26電連接的可靠性，連接電極14通常制備得比較厚（一般為2-3微米），但這會導(dǎo)致一是制備時形成薄膜的過程耗時長，二是刻蝕薄膜以形成連接電極14時出現(xiàn)刻蝕困難。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實施例提供一種電致發(fā)光裝置及其制備方法，在保證薄膜晶體管與第二電極電連接可靠性的同時，還可使連接電極制備過程中的成膜時間縮短，刻蝕難度降低，從而提高生產(chǎn)效率。

為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案：

本發(fā)明的實施例提供一種電致發(fā)光裝置，包括：陣列基板；所述陣列基板包括：基板，依次設(shè)置于所述基板上的薄膜晶體管，覆蓋于所述薄膜晶體管之上的保護層，以及設(shè)置在所述保護層之上的連接電極；所述連接電極下方的保護層向遠(yuǎn)離基板的一側(cè)凸起，形成凸臺；所述保護層在對應(yīng)薄膜晶體管漏極的位置設(shè)置有保護層過孔，所述連接電極通過所述保護層過孔與所述薄膜晶體管的漏極連接。

可選地，所述保護層過孔位于所述凸臺上。

可選地，所述保護層過孔位于所述凸臺的一側(cè)，所述連接電極覆蓋所述凸臺及所述保護層過孔。

優(yōu)選地，所述連接電極的厚度為0.3～1微米。

優(yōu)選地，所述保護層的總厚度為2～4微米，所述凸臺的臺階高度為1.5～2.5微米。

可選地，所述連接電極選用下述材料中一種或幾種制成：

銅、鉬、錫、鋁、銀。

可選地，所述保護層選用下述材料中一種或幾種制成：

氮化硅，氧化硅，或者感光樹脂。

進一步地，所述電致發(fā)光裝置還包括：彩膜基板；所述彩膜基板包括：第二基板，依次設(shè)置于所述第二基板上的彩色濾光層，平坦層，第一電極、有機發(fā)光層和第二電極；所述第二電極與所述連接電極接觸且電連接。

本發(fā)明實施例還提供一種電致發(fā)光裝置的制備方法，包括：彩膜基板制程，陣列基板制程，彩膜基板和陣列基板對盒制程，其中，所述陣列基板制程包括：

步驟1、在基板上形成薄膜晶體管；

步驟2、在形成有薄膜晶體管的基板上形成保護層，并通過構(gòu)圖工藝在后續(xù)形成連接電極的預(yù)設(shè)位置形成凸臺，在對應(yīng)薄膜晶體管漏極的位置形成保護層過孔；

步驟3、在所述保護層之上形成連接電極，所述連接電極通過所述保護層過孔與所述薄膜晶體管的漏極相連。

優(yōu)選地，步驟2中采用多階曝光工藝在后續(xù)形成連接電極的預(yù)設(shè)位置形成凸臺，在對應(yīng)薄膜晶體管漏極的位置形成保護層過孔。

具體地，所述采用多階曝光工藝在后續(xù)形成連接電極的預(yù)設(shè)位置形成凸臺，在對應(yīng)薄膜晶體管漏極的位置形成保護層過孔，包括：

形成保護層，并在所述保護層上涂覆光刻膠；

進行多階曝光，經(jīng)過顯影后，在所述保護層上形成光刻膠圖案，使得所述光刻膠圖案中，

在后續(xù)形成連接電極的預(yù)設(shè)位置保留第一厚度的光刻膠，在薄膜晶體管漏極上方后續(xù)形成保護層過孔的預(yù)設(shè)位置不保留光刻膠，除所述連接電極的預(yù)設(shè)位置、所述保護層過孔的預(yù)設(shè)位置之外區(qū)域保留第二厚度的光刻膠，且所述第一厚度大于所述第二厚度；