[發(fā)明專利]電致發(fā)光裝置及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310436180.3
• 申請日: 2013-09-23
• 公開（公告）號(hào): CN103474453A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 程鴻飛;張玉欣
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L51/56
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種電致發(fā)光裝置，包括：陣列基板；所述陣列基板包括：基板，依次設(shè)置于所述基板上的薄膜晶體管，覆蓋于所述薄膜晶體管之上的保護(hù)層，以及設(shè)置在所述保護(hù)層之上的連接電極；其特征在于，

所述連接電極下方的保護(hù)層向遠(yuǎn)離基板的一側(cè)凸起，形成凸臺(tái)；

所述保護(hù)層在對應(yīng)薄膜晶體管漏極的位置設(shè)置有保護(hù)層過孔，所述連接電極通過所述保護(hù)層過孔與所述薄膜晶體管的漏極連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，

所述保護(hù)層過孔位于所述凸臺(tái)上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，

所述保護(hù)層過孔位于所述凸臺(tái)的一側(cè)，所述連接電極覆蓋所述凸臺(tái)及所述保護(hù)層過孔。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述連接電極的厚度為0.3～1微米。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述保護(hù)層的總厚度為2～4微米，所述凸臺(tái)的臺(tái)階高度為1.5～2.5微米。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述連接電極選用下述材料中一種或幾種制成：

銅、鉬、錫、鋁、銀。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述保護(hù)層選用下述材料中一種或幾種制成：

氮化硅，氧化硅，或者感光樹脂。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，還包括：彩膜基板；所述彩膜基板包括：第二基板，依次設(shè)置于所述第二基板上的彩色濾光層，平坦層，第一電極、有機(jī)發(fā)光層和第二電極；

所述第二電極與所述連接電極接觸且電連接。

9.一種電致發(fā)光裝置的制備方法，包括：彩膜基板制程，陣列基板制程，彩膜基板和陣列基板對盒制程，其特征在于，所述陣列基板制程，包括：

步驟1、在基板上形成薄膜晶體管；

步驟2、在形成有薄膜晶體管的基板上形成保護(hù)層，并通過構(gòu)圖工藝在后續(xù)形成連接電極的預(yù)設(shè)位置形成凸臺(tái)，在對應(yīng)薄膜晶體管漏極的位置形成保護(hù)層過孔；

步驟3、在所述保護(hù)層之上形成連接電極，所述連接電極通過所述保護(hù)層過孔與所述薄膜晶體管的漏極相連。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，步驟2中采用多階曝光工藝在后續(xù)形成連接電極的預(yù)設(shè)位置形成凸臺(tái)，在對應(yīng)薄膜晶體管漏極的位置形成保護(hù)層過孔。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制備方法，其特征在于，所述采用多階曝光工藝在后續(xù)形成連接電極的預(yù)設(shè)位置形成凸臺(tái)，在對應(yīng)薄膜晶體管漏極的位置形成保護(hù)層過孔，具體包括：

形成保護(hù)層，并在所述保護(hù)層上涂覆光刻膠；

進(jìn)行多階曝光，經(jīng)過顯影后，在所述保護(hù)層上形成光刻膠圖案，使得所述光刻膠圖案中，

在后續(xù)形成連接電極的預(yù)設(shè)位置保留第一厚度的光刻膠，在薄膜晶體管漏極上方后續(xù)形成保護(hù)層過孔的預(yù)設(shè)位置不保留光刻膠，除所述連接電極的預(yù)設(shè)位置、所述保護(hù)層過孔的預(yù)設(shè)位置之外區(qū)域保留第二厚度的光刻膠，且所述第一厚度大于所述第二厚度；

進(jìn)行刻蝕，去除露出的保護(hù)層，形成所述保護(hù)層過孔；

進(jìn)行灰化處理，去除第二厚度對應(yīng)區(qū)域的光刻膠；

進(jìn)行刻蝕，去除第二厚度對應(yīng)區(qū)域露出的所述保護(hù)層，形成凸臺(tái)；

剝離第一厚度對應(yīng)區(qū)域剩余的光刻膠。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，步驟2具體包括：

在形成有薄膜晶體管的基板上形成保護(hù)層；

在所述保護(hù)層上涂覆光刻膠，采用構(gòu)圖工藝在所述保護(hù)層上后續(xù)形成連接電極的預(yù)設(shè)位置形成凸臺(tái)；

再次涂覆光刻膠，第二次采用構(gòu)圖工藝在薄膜晶體管漏極上方后續(xù)形成保護(hù)層過孔的預(yù)設(shè)位置形成保護(hù)層過孔。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述保護(hù)層選用感光樹脂制成時(shí)，步驟2具體包括：

在形成有薄膜晶體管的基板上，涂敷感光樹脂形成保護(hù)層；

通過多階曝光顯影或者兩次曝光顯影，在所述保護(hù)層上后續(xù)形成連接電極的預(yù)設(shè)位置形成凸臺(tái)，并在薄膜晶體管漏極上方后續(xù)形成保護(hù)層過孔的預(yù)設(shè)位置形成保護(hù)層過孔。