[發(fā)明專利]一種表面增強(qiáng)拉曼光譜復(fù)合基底的制備方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310432834.5
• 申請(qǐng)日: 2013-09-23
• 公開（公告）號(hào): CN103512875A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 肖湘衡;戴志高;梅菲;鄭俊豐;李文慶;任峰;蔣昌忠
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢大學(xué)
• 主分類號(hào): G01N21/65
• 分類號(hào): G01N21/65
• 代理公司: 武漢科皓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 42222
• 代理人: 汪俊鋒

1.一種表面增強(qiáng)拉曼光譜復(fù)合基底的制備方法，其特征在于，包括如下：

1）采用液面自組裝的方法在硅片上制得單層排列的聚苯乙烯微球掩模板；

2）利用真空鍍膜機(jī)，在聚苯乙烯微球掩模板上先蒸鍍Cr納米膜，再蒸鍍?Ag納米膜，然后置于氯仿中溶解去掉聚苯乙烯微球，洗滌；

3）采用化學(xué)氣相沉積法在Cu箔上生長單層石墨烯，在所生長的石墨烯上涂聚甲基丙烯酸甲酯，并加熱固化，然后用化學(xué)刻蝕的方法將Cu箔腐蝕去掉，洗滌；

4）將（3）制備的單層石墨烯轉(zhuǎn)移至（2）制備的納米陣列上，烘干，確保石墨烯與基底之間結(jié)合，放入丙酮溶液，將甲基丙烯酸甲酯溶解，并用氮?dú)獯蹈桑吹帽砻嬖鰪?qiáng)拉曼光譜復(fù)合基底。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，?步驟（1）中，所制備的聚苯乙烯微球的直徑為200~1000??nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，步驟（2）中，在聚苯乙烯微球掩模板上先蒸鍍10?nm?Cr薄膜，再蒸鍍50?nm?Ag薄膜，Cr?薄膜和Ag薄膜的沉積速率是3?nm?min^-1。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，步驟（2）中，聚苯乙烯微球掩模板鍍Cr膜和Ag膜后，在氯仿中超聲20秒鐘，靜置10分鐘，去掉聚苯乙烯微球。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，步驟（3）中，所用的Cu箔在化學(xué)氣相沉積前，經(jīng)過化學(xué)機(jī)械拋光處理。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，步驟（3）中，Cu箔上生長石墨烯并堅(jiān)膜后，放到氯化鐵溶液中，將Cu箔腐蝕掉。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，步驟（3）中，?CVD方法生長石墨烯的溫度為1020℃，在CH₄和H₂的混合氣體氣氛中生長，并且流量分別為35sccm和6sccm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，步驟（3）中，在石墨烯上涂聚甲基丙烯酸甲酯后，在120℃，保溫30分鐘，使聚甲基丙烯酸甲酯固化。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，步驟（4）中，將（3）制備的單層石墨烯轉(zhuǎn)移至（2）制備的納米陣列上，然后在50℃下保溫30分鐘，確保石墨烯與基底之間結(jié)合。