[發明專利]薄膜體波諧振器及提高其品質因數的方法

有效

• 申請號: 201310428192.1
• 申請日: 2013-09-17
• 公開（公告）號: CN103607178A
• 公開（公告）日: 2014-02-26
• 發明（設計）人: 張浩;張孟倫;龐慰;張代化
• 申請（專利權）人: 諾思（天津）微系統有限公司
• 主分類號: H03H9/17
• 分類號: H03H9/17;H03H3/02
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種薄膜體波諧振器，其特征在于，包括：

第一電極；

壓電層，位于所述第一電極上方；

第二電極，位于所述壓電層上方；

其中，所述第二電極與所述第一電極之間具有至少一間隙，所述間隙的至少部分覆蓋所述薄膜體波諧振器的有效區域，其中，所述有效區域為所述第一電極、所述第二電極和所述壓電層在厚度方向上彼此重疊的區域。

2.根據權利要求1所述的薄膜體波諧振器，其特征在于，所述間隙包括：

第一間隙，位于所述第一電極和所述壓電層之間；和/或

第二間隙，位于所述第二電極和所述壓電層之間。

3.根據權利要求2所述的薄膜體波諧振器，其特征在于，在水平方向上，所述第二電極超出所述第二間隙的長度小于等于20μm，大于等于0.1μm。

4.根據權利要求2所述的薄膜體波諧振器，其特征在于，在水平方向上，所述第二電極超出所述第二間隙的長度小于等于5μm，大于等于1μm。

5.根據權利要求1所述的薄膜體波諧振器，其特征在于，進一步包括：

聲反射結構，位于所述第一電極下方；

所述至少一間隙與所述有效區域的重疊區域的至少部分覆蓋所述聲反射結構。

6.根據權利要求1-5中任一所述的薄膜體波諧振器，其特征在于，所述至少一間隙的厚度在1nm至500nm之間。

7.根據權利要求1-5中任一所述的薄膜體波諧振器，其特征在于，所述至少一間隙的厚度在10nm至300nm之間。

8.根據權利要求1、2或5所述的薄膜體波諧振器，其特征在于，所述第一電極的厚度在1μm至10μm之間。

9.根據權利要求1-4中任一項所述的薄膜體波諧振器，其特征在于，所述第二電極的厚度在1μm至10μm之間。

10.根據權利要求1-5中任一所述的薄膜體波諧振器，其特征在于，所述至少一間隙的邊緣形狀包括以下至少之一：

傾斜或垂直的直線形、階梯狀、弧狀。

11.根據權利要求1-5中任一所述的薄膜體波諧振器，其特征在于，所述至少一間隙內的填充物為空氣。

12.一種提高薄膜體波諧振器的品質因數的方法，其特征在于，包括：

提供第一電極；

在所述第一電極上方形成壓電層；

在所述壓電層上方形成第二電極；

在形成所述壓電層和所述第二電極的時候，在所述第二電極與所述第一電極之間留有至少一間隙，并且所述間隙的至少部分覆蓋所述薄膜體波諧振器的有效區域，其中，所述有效區域為所述第一電極、所述第二電極和所述壓電層在厚度方向上彼此重疊的區域。

13.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，在所述第二電極與所述第一電極之間留有至少一間隙包括：

在形成所述壓電層的時候，在所述第一電極和所述壓電層之間留有第一間隙；和/或

在形成所述壓電層和所述第二電極的時候，在所述第二電極和所述壓電層之間留有第二間隙。

14.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，在形成所述第二電極的時候，調整所述第二電極，使在水平方向上所述第二電極超出所述第二間隙的長度小于等于20μm，大于等于0.1μm。

15.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，在形成所述第二電極的時候，調整所述第二電極，使在水平方向上，所述第二電極超出所述第二間隙的長度小于等于5μm，大于等于1μm。

16.根據權利要求12或13所述的方法，其特征在于，在提供所述第一電極以及形成所述壓電層和所述第二電極的時候，調整所述第一電極、所述壓電層和/或所述第二電極，使在所述第一電極和所述第二電極之間留有所述至少一間隙的厚度在1nm至500nm之間。

17.根據權利要求12或13所述的方法薄膜體波諧振器，其特征在于，在提供所述第一電極以及形成所述壓電層和所述第二電極的時候，調整所述第一電極、所述壓電層和/或所述第二電極，使在所述第一電極和所述第二電極之間留有所述至少一間隙的厚度在10nm至300nm之間。