[發明專利]求解Al/SiO2/Si三層MEMS懸臂梁結構的彈性變形的方法無效
| 申請號： | 201310425866.2 | 申請日： | 2013-09-17 |
| 公開（公告）號： | CN103487001A | 公開（公告）日： | 2014-01-01 |
| 發明（設計）人： | 董健;蔣恒 | 申請（專利權）人： | 浙江工業大學 |
| 主分類號： | G01B21/32 | 分類號： | G01B21/32 |
| 代理公司： | 杭州天正專利事務所有限公司 33201 | 代理人： | 王兵;黃美娟 |
| 地址： | 310014 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 求解 al sio sub si 三層 mems 懸臂梁 結構 彈性 變形 方法 | ||
1.一種求解Al/SiO2/Si三層MEMS懸臂梁結構的彈性變形的方法，包括以下步驟：
（1）利用MEMS工藝制作的Al/SiO2/Si三層懸臂梁結構，其各層楊氏模量和厚度是已知，設楊氏模量比γ1=E1/E2,γ2=E3/E2，厚度比r1=h1/h2，r2=h3/h2，其中E1，E2，E3，h1，h2，h3分別依次表示硅基底、二氧化硅膜、鋁膜的楊氏模量和厚度;
（2）在一定的工藝條件下，經過加工制造和后處理過程，不同材料膜所產生的殘余應力是可以通過查詢相關文獻得到的，設硅基底、二氧化硅膜、鋁膜的殘余應力依次為σres,1，σres,2，σres,3;
（3）將上述數據代入Stoney延伸公式其中
這里的εres,i表示第i層膜的殘余應變，εres,i=σres,iEi,i=1,2,3。
κben就是Al/SiO2/Si三層MEMS懸臂梁結構的彎曲曲率。
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