[發(fā)明專利]高純度短棒狀結(jié)晶FeWO4/FeS核殼納米結(jié)構(gòu)的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310422694.3 | 申請(qǐng)日: | 2013-09-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103498191A | 公開(公告)日: | 2014-01-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 錢靜雯;彭志堅(jiān);符秀麗;王成彪;付志強(qiáng);岳文 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國地質(zhì)大學(xué)(北京) |
| 主分類號(hào): | C30B25/00 | 分類號(hào): | C30B25/00;C30B29/64;C30B29/32;C30B29/46;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100083*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 純度 短棒狀 結(jié)晶 fewo sub fes 納米 結(jié)構(gòu) 制備 方法 | ||
1.高純度、短棒狀結(jié)晶FeWO4/FeS核殼納米結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于:所述短棒狀核殼納米結(jié)構(gòu)內(nèi)核為單晶FeWO4,外殼為單晶FeS;所述方法通過熱蒸發(fā)WO3粉和S粉在鍍有鐵膜的基片上合成短棒狀的FeWO4/FeS核殼納米結(jié)構(gòu),包括以下步驟:
(1)在真空管式爐中,將分別裝有WO3粉和S粉的氧化鋁陶瓷坩堝、或者裝有WO3和S混合粉的氧化鋁陶瓷坩堝放置在爐中央的加熱區(qū)域,在其氣流下游距離裝有WO3粉的坩堝20-30mm處溫度較低的區(qū)域放置表面鍍有Fe膜的基片;
(2)在加熱前,先對(duì)整個(gè)系統(tǒng)抽真空,然后向系統(tǒng)中通入高純惰性載氣,并重復(fù)多次,以排除系統(tǒng)中的空氣;然后以10-30℃/min速率升溫最高加熱溫度,并保溫?cái)?shù)小時(shí);在加熱過程中,保持載氣流量為100-300標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘、管式爐內(nèi)真空度為-0.01到-0.1MPa,且整個(gè)加熱過程在惰性載氣保護(hù)下完成,最后自然降溫到室溫,即可在基片上得到高純度、短棒狀、高度結(jié)晶化的FeWO4/FeS核殼納米結(jié)構(gòu)。
2.按照權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于:所述步驟(1)中WO3粉和S粉的加熱蒸發(fā)方法為分別蒸發(fā)或混合蒸發(fā),其中分別蒸發(fā)時(shí)WO3粉放在爐中高溫加熱區(qū)而S粉放在爐中低溫加熱區(qū),且二者相距10-18mm;而混合蒸發(fā)時(shí),則需將WO3粉和S粉的質(zhì)量比控制在10:1到200:1之間;所述步驟(1)中的基片為硅片、砷化鎵片、碳化硅單晶片;所述步驟(1)中的基片上沉積了一層5-50nm厚的Fe膜;所述步驟(2)中最高加熱溫度為800-990℃,保溫時(shí)間1-5小時(shí);所述步驟(2)中載氣流量為100-300標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘、管式爐內(nèi)真空度為-0.01到-0.1MPa。
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