[發明專利]氧化物薄膜晶體管及其制造方法

在審

• 申請號: 201310421396.2
• 申請日: 2013-09-16
• 公開（公告）號: CN104157693A
• 公開（公告）日: 2014-11-19
• 發明（設計）人: 裵鐘旭
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/417;H01L29/04;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/316
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;劉久亮

1.一種薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括：

由第一導電膜制成的柵極；

形成在柵極上的柵絕緣層；

形成在柵絕緣層上的有源層，所述有源層由具有鋅基氧化物的氧化物半導體制成；

形成在有源層上的源極和漏極；

形成在源極和漏極上以及布置在源極和漏極之間的有源層上的下鈍化層，所述下鈍化層由包括氧化物的絕緣層制成；

形成在下鈍化層上的上鈍化層，所述上鈍化層由比所述下鈍化層具有更高的密度的絕緣層制成。

2.一種薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括：

由具有鋅基氧化物的氧化物半導體制成的有源層；

形成在有源層上的源極和漏極；

形成在布置在源極和漏極之間的有源層上的柵絕緣層；

由第一導電膜制成且形成在柵絕緣層上的柵極；

形成在源極和漏極上以及布置在源極和漏極之間的有源層上的下鈍化層，所述下鈍化層由包括氧化物的絕緣層制成；

形成在下鈍化層上的上鈍化層，所述上鈍化層由比所述下鈍化層具有更高的密度的絕緣層制成。

3.根據權利要求1或2所述的薄膜晶體管，其中，源極和漏極包括由第二導電膜制成且形成在有源層上的第一源極和第一漏極，以及由第三導電膜制成且形成在第一源極和第一漏極上的第二源極和第二漏極。

4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管還包括通過氧化所述第二導電膜形成的原位保護層，所述保護層形成在除源極和漏極之外的區域上。

5.根據權利要求3所述的薄膜晶體管，其中，第一源極和第一漏極包括Ti、Ti合金、Mo和Mo合金中的至少一種，第二源極和第二漏極包括Cu、Ag和Mo中的至少一種。

6.根據權利要求1-5中任意一項所述的薄膜晶體管，其中，所述下鈍化層包括TiOx、TaOx、AlOx和SiOx中的至少一種。

7.一種薄膜晶體管的制造方法，所述方法包括以下步驟：

形成由第一導電膜制成的柵極；

在柵極上形成柵絕緣層；

在柵絕緣層上形成有源層，所述有源層由具有鋅基氧化物的氧化物半導體制成；

在有源層上形成源極和漏極；

在源極和漏極上以及布置在源極和漏極之間的有源層上形成下鈍化層，所述下鈍化層由包括氧化物的絕緣層制成；

在下鈍化層上形成上鈍化層，所述上鈍化層由比所述下鈍化層具有更高的密度的絕緣層制成。

8.一種薄膜晶體管的制造方法，所述方法包括以下步驟：

形成由具有鋅基氧化物的氧化物半導體制成的有源層；

在布置在源極和漏極之間的有源層上形成柵絕緣層；

在柵絕緣層上形成由第一導電膜制成的柵極；

在有源層上形成源極和漏極；

在源極和漏極上以及布置在源極和漏極之間的有源層上形成下鈍化層，所述下鈍化層由包括氧化物的絕緣層制成；

在下鈍化層上形成上鈍化層，所述上鈍化層由比所述下鈍化層具有更高的密度的絕緣層制成。

9.根據權利要求7或8所述的方法，其中，源極和漏極包括由第二導電膜制成且形成在有源層上的第一源極和第一漏極，以及由第三導電膜制成且形成在第一源極和第一漏極上的第二源極和第二漏極。

10.根據權利要求9所述的方法，所述方法還包括通過氧化所述第二導電膜形成原位保護層的步驟，所述保護層形成在除源極和漏極之外的區域上。

11.根據權利要求9所述的方法，其中，第一源極和第一漏極包括Ti、Ti合金、Mo和Mo合金中的至少一種，第二源極和第二漏極包括Cu、Ag和Mo中的至少一種。

12.根據權利要求7-11中任意一項所述的方法，其中，所述下鈍化層包括TiOx、TaOx、AlOx和SiOx中的至少一種。