[發明專利]一種高壓器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201310418088.4
• 申請日: 2013-09-13
• 公開（公告）號: CN103474466A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 喬明;李燕妃;蔡林希;吳文杰;許琬;陳濤;胡利志;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 成都宏順專利代理事務所(普通合伙) 51227
• 代理人: 李順德;王睿

1.一種高壓器件，其元胞結構包括第一種導電類型半導體襯底（1）、第二種導電類型半導體漂移區（21）、第二種導電類型半導體源區（22）、第二種導電類型半導體漏區（23）、第一種導電類型半導體體區（31）、第一種導電類型半導體體接觸區（32）、第一種導電類型半導體體區埋層（33）、第一種導電類型半導體降場層（34）、柵氧化層（41）、場氧化層（42）、金屬前介質（43）、多晶硅柵電極（51）、源極金屬（52）和漏極金屬（53），所述第二種導電類型半導體漂移區（21）、第一種導電類型半導體體區（31）和第一種導電類型半導體體區埋層（33）設置在第一種導電類型半導體襯底（1）中，所述第一種導電類型半導體體區埋層（33）設置在第一種導電類型半導體體區（31）的下表面，所述第一種導電類型半導體降場層（34）和第二種導電類型半導體漏區（23）設置在第二種導電類型半導體漂移區（21）中，所述第二種導電類型半導體源區（22）和第一種導電類型半導體體接觸區（32）設置在第一種導電類型半導體體區（31）中并相互獨立，所述場氧化層（42）設置在第二種導電類型半導體漂移區（21）的上表面，所述柵氧化層（41）設置在部分第二種導電類型半導體源區（22）的上表面、第一種導電類型半導體體區（31）的上表面和第二種導電類型半導體漂移區（21）的上表面并與場氧化層（42）連接，所述多晶硅柵電極（51）設置在柵氧化層（41）的上表面和部分場氧化層（42）的上表面，所述源極金屬（52）設置在第一種導電類型半導體體接觸區（32）的上表面、部分第二種導電類型半導體源區（22）的上表面，所述漏極金屬（53）設置在部分第二種導電類型半導體漏區（23）的上表面，所述金屬前介質（43）填充在源極金屬（52）和漏極金屬（53）之間，源極金屬（52）和漏極金屬（53）在金屬前介質（43）上表面延伸形成場板，其特征在于，還包括第二種導電類型半導體重摻雜層，所述第二種導電類型半導體重摻雜層由分為多段的第二種導電類型半導體區域構成并設置在第一種導電類型半導體降場層（34）和場氧化層（42）之間。

2.根據權利要求1所述的一種高壓器件，其特征在于，還包括第二種導電類型半導體埋層（24），所述第二種導電類型半導體埋層（24）設置在第二種導電類型半導體漂移區（21）中并位于第一種導電類型半導體降場層（34）的下表面。

3.根據權利要求1或2所述的一種高壓器件，其特征在于，所述第一種導電類型半導體體區（31）和第一種導電類型半導體體區埋層（33）設置在第二種導電類型半導體漂移區（21）中。

4.根據權利要求3所述的一種高壓器件，其特征在于，所述第二種導電類型半導體漂移區（21）設置在第一種導電類型半導體襯底（1）的上表面。

5.根據權利要求4所述的一種高壓器件，其特征在于，還包括SOI襯底（2），所述SOI襯底（2）設置在第一種導電類型半導體襯底（1）和第二種導電類型半導體漂移區（21）之間并分別與第一種導電類型半導體襯底（1）和第二種導電類型半導體漂移區（21）連接。