[發(fā)明專利]均衡器電路和包括均衡器電路的接收器電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310415354.8 | 申請日: | 2013-09-12 |
| 公開(公告)號: | CN104113498B | 公開(公告)日: | 2019-03-19 |
| 發(fā)明(設計)人: | 宋澤相 | 申請(專利權(quán))人: | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號: | H04L25/03 | 分類號: | H04L25/03 |
| 代理公司: | 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;許偉群 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 均衡器 電路 包括 接收器 | ||
1.一種均衡器電路,包括:
輸入端子;
上拉驅(qū)動單元,所述上拉驅(qū)動單元適用于基于所述輸入端子的信號來上拉驅(qū)動輸出端子;
下拉驅(qū)動單元,所述下拉驅(qū)動單元適用于下拉驅(qū)動所述輸出端子;以及
電容器,所述電容器連接在所述輸入端子和所述輸出端子之間,
其中,所述上拉驅(qū)動單元包括:
多個PMOS晶體管,所述多個PMOS晶體管的源極與上拉電壓端子連接,并且所述多個PMOS晶體管的柵極適用于接收第一碼的相應比特;
多個第一NMOS晶體管,所述多個第一NMOS晶體管的相應漏極與所述PMOS晶體管的相應漏極連接,并且所述多個第一NMOS晶體管的柵極適用于接收所述輸入端子的信號;以及
多個上拉電阻器,所述多個上拉電阻器分別連接在所述第一NMOS晶體管的相應源極和所述輸出端子之間。
2.如權(quán)利要求1所述的均衡器電路,其中,所述上拉驅(qū)動單元包括:
上拉可變電阻器,所述上拉可變電阻器適用于上拉驅(qū)動所述輸出端子;以及
開關元件,所述開關元件適用于基于所述輸入端子的信號來控制所述上拉可變電阻器的上拉驅(qū)動操作。
3.如權(quán)利要求2所述的均衡器電路,其中,所述下拉驅(qū)動單元包括下拉可變電阻器,所述下拉可變電阻器適用于下拉驅(qū)動所述輸出端子。
4.如權(quán)利要求1所述的均衡器電路,其中,所述上拉驅(qū)動單元的驅(qū)動能力通過所述第一碼來調(diào)整,所述下拉驅(qū)動單元的驅(qū)動能力通過第二碼來調(diào)整。
5.如權(quán)利要求1所述的均衡器電路,其中,所述下拉驅(qū)動單元包括:
多個第二NMOS晶體管,所述多個第二NMOS晶體管的源極與下拉電壓端子連接,并且所述多個第二NMOS晶體管的柵極適用于接收第二碼的相應比特;以及
多個下拉電阻器,所述多個下拉電阻器分別連接在所述第二NMOS晶體管的相應漏極和所述輸出端子之間。
6.一種接收器電路,包括:
第一輸入端子;
第一上拉驅(qū)動單元,所述第一上拉驅(qū)動單元適用于基于所述第一輸入端子的信號來上拉驅(qū)動第一輸出端子;
第一下拉驅(qū)動單元,所述第一下拉驅(qū)動單元適用于下拉驅(qū)動所述第一輸出端子;
第一電容器,所述第一電容器連接在所述第一輸入端子和所述第一輸出端子之間;
第二輸入端子;
第二上拉驅(qū)動單元,所述第二上拉驅(qū)動單元適用于基于所述第二輸入端子的信號來上拉驅(qū)動第二輸出端子;
第二下拉驅(qū)動單元,所述第二下拉驅(qū)動單元適用于下拉驅(qū)動所述第二輸出端子;以及
差分放大單元,所述差分放大單元適用于差分放大所述第一輸出端子和所述第二輸出端子的信號,
其中,所述第一上拉驅(qū)動單元包括:
多個第一PMOS晶體管,所述多個第一PMOS晶體管的源極與上拉電壓端子連接,并且所述多個第一PMOS晶體管的柵極適用于接收第一碼的相應比特;
多個第一NMOS晶體管,所述多個第一NMOS晶體管的相應漏極與所述第一PMOS晶體管的相應漏極連接,并且所述多個第一NMOS晶體管的柵極適用于接收所述第一輸入端子的信號;以及
多個第一上拉電阻器,所述多個第一上拉電阻器分別連接在所述第一NMOS晶體管的相應源極和所述第一輸出端子之間。
7.如權(quán)利要求6所述的接收器電路,其中,所述第一輸入端子的信號是給所述接收器的輸入信號,所述第二輸入端子的信號是參考電壓。
8.如權(quán)利要求7所述的接收器電路,其中,所述第一上拉驅(qū)動單元的驅(qū)動能力與所述第二上拉驅(qū)動單元的驅(qū)動能力之比為N:1,所述第一下拉驅(qū)動單元的驅(qū)動能力與所述第二下拉驅(qū)動單元的驅(qū)動能力之比為N:1,其中N是大于1的實數(shù)。
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