[發明專利]一種GPP芯片的預焊治具及其使用方法有效
| 申請號: | 201310414845.0 | 申請日: | 2013-09-12 |
| 公開(公告)號: | CN103474377A | 公開(公告)日: | 2013-12-25 |
| 發明(設計)人: | 陳曉華;王毅 | 申請(專利權)人: | 揚州揚杰電子科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/673 |
| 代理公司: | 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224 | 代理人: | 周全 |
| 地址: | 225008 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 gpp 芯片 預焊治具 及其 使用方法 | ||
技術領域
本發明涉及GPP芯片的焊接工藝,尤其涉及GPP芯片的預焊治具及其使用方法的改進。
背景技術
隨著半導體行業的迅速發展,客戶對二極管的各項性能提出了更高的要求,比如正向過電流能力、二極管自身的散熱性能等,所以能夠開發出一種不改變產品封裝且散熱好、結溫低、可靠性更好的半導體二極管,是提高產品競爭優勢和企業獲取更多優質客戶合作的關鍵所在。Glass?Passivated?Pellet簡稱GPP,GPP芯片即為玻璃鈍化芯片,由于其特殊的結構使其可有效的實現上述要求。在GPP芯片加工時,通常需在P面上焊接一小銅粒,并在N面上焊接一大銅粒。其傳統的加工工藝中,通常由人工通過鑷子將各部件依次夾入預焊模上的階梯狀容置槽中,具體為:1)、夾入小銅粒預焊模;2)、夾入焊片;3)、夾入芯片,并使其統一為P面朝下;4)、再夾入一焊片;5)、夾入大銅粒;待所有大銅粒擺放完畢后,合上預焊模蓋子,并送入爐內進行焊接。
然而,上述的預焊工藝中存在著以下缺陷:一、在上述的步驟3)中人工用鑷子操作時的芯片統一P面朝下是十分不便的、且費時費力;二、鑷子對芯片的夾持也極易對芯片造成損傷,帶來廢品率的增加;三、人工操作工作效率低下、且加工效果差。
發明內容
本發明針對以上問題,提供了一種結構精巧、操作方式簡便、工作效率高且對芯片無損傷,在芯片裝入時可實現芯片統一分向的GPP芯片的預焊治具及其使用方法。
本發明的技術方案是:所述GPP芯片依次包括小銅粒、小焊片、芯片、大焊片和大銅粒,所述芯片的N面的直徑大于P面的直徑、且芯片的P面設有玻璃鈍化層;所述預焊治具包括預焊模、預焊模蓋、小銅粒篩盤、芯片篩盤、大銅粒篩盤和負壓源;
所述預焊模的頂面上開設有若干與所述芯片適配的芯片焊槽和若干定位孔,所述芯片槽的槽底開設有與所述小銅粒適配的小銅粒焊槽;
所述小銅粒篩盤的頂面上開設有若干與小銅粒適配的小銅粒容置槽和若干定位銷一,所述定位銷一與所述定位孔適配且位置對應,若干所述小銅粒容置槽與所述小銅粒焊槽的位置對應、且若干小銅粒容置槽的槽底連通所述負壓源;
所述芯片篩盤的頂面上開設有若干與所述芯片適配的芯片容置槽和若干定位銷二,所述定位銷二與所述定位孔適配且位置對應,若干所述芯片容置槽與所述芯片焊槽的位置對應、且若干芯片容置槽的槽底連通所述負壓源;
所述大銅粒篩盤的頂面上開設有若干與所述大銅粒適配的大銅粒容置槽和若干定位銷三,所述定位銷三與所述定位孔適配且位置對應,若干所述大銅粒容置槽與所述芯片焊槽的位置對應、且若干大銅粒容置槽的槽底連通所述負壓源。
所述芯片容置槽呈階梯狀分為上槽和下槽,所述上槽的內徑大于所述下槽的內徑,所述下槽與所述芯片的N面適配、且下槽的槽底開設有用于連通負壓源的負壓氣道。
若干所述小銅粒焊槽的槽底開設有氣道一,所述預焊模蓋上開設有若干與所述氣道一位置對應的氣道二和若干定位銷四,所述定位銷四與所述定位孔適配且位置對應。
一種GPP芯片的預焊治具的使用方法,按以下步驟進行操作:
1)、篩小銅粒:將若干小銅粒倒入小銅粒篩盤上,開啟負壓源,并左右往復晃動小銅粒篩盤1-5min;再斜置小銅粒篩盤;
2)、小銅粒裝入:保持負壓源開啟,并將若干定位銷一對接入若干定位孔中;再關閉負壓源,并拔出小銅粒篩盤;
3)、篩小焊片:將若干小焊片倒入小銅粒篩盤上,開啟負壓源,并左右往復晃動小銅粒篩盤1-5min;再斜置小銅粒篩盤;
4)、小焊片裝入:保持負壓源開啟,并將若干定位銷一對接入若干定位孔中;再關閉負壓源,并拔出小銅粒篩盤;
5)、篩芯片:將若干芯片倒入芯片篩盤上,開啟負壓源,并左右往復晃動芯片篩盤1-5min;再斜置芯片篩盤;
6)、芯片裝入:保持負壓源開啟,并將若干定位銷二對接入若干定位孔中;再關閉負壓源,并拔出芯片篩盤;
7)、篩大焊片:將若干大焊片倒入大銅粒篩盤上,開啟負壓源,并左右往復晃動大銅粒篩盤1-5min;再斜置大銅粒篩盤;
8)、大焊片裝入:保持負壓源開啟,并將若干定位銷三對接入若干定位孔中;再關閉負壓源,并拔出大銅粒篩盤;
9)、篩大銅粒:將若干大銅粒倒入大銅粒篩盤上,開啟負壓源,并左右往復晃動大銅粒篩盤1-5min;再斜置大銅粒篩盤;
10)、大銅粒裝入:保持負壓源開啟,并將若干定位銷三對接入若干定位孔中;再關閉負壓源,并拔出大銅粒篩盤;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





