[發(fā)明專利]具有水平半導(dǎo)體元件和垂直半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體部件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310412957.2
• 申請(qǐng)日: 2013-09-11
• 公開（公告）號(hào): CN104253156B
• 公開（公告）日: 2017-10-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡欣昌;李嘉炎;李芃昕
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)達(dá)電子工業(yè)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/778
• 分類號(hào): H01L29/778;H01L21/335
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司72003
• 代理人: 李昕巍,趙根喜

1.一種半導(dǎo)體部件，包括：

水平半導(dǎo)體元件，具有第一側(cè)以及第二側(cè)，該水平半導(dǎo)體元件包括位于該第一側(cè)的有源區(qū)域，該有源區(qū)域包括第一電極、第二電極以及控制電極；

垂直半導(dǎo)體元件，具有第一側(cè)以及第二側(cè)，該垂直半導(dǎo)體元件包括位于該第一側(cè)的第一電極、以及位于該第二側(cè)的第二電極和控制電極；以及

引線框架，分別電連接該水平半導(dǎo)體元件的該第一電極、該水平半導(dǎo)體元件的該第二電極、該垂直半導(dǎo)體元件的該第二電極、以及該水平半導(dǎo)體元件和該垂直半導(dǎo)體元件各自的該控制電極，

其中，該引線框架與該水平半導(dǎo)體元件的該第一電極及該第二電極電性連接的一側(cè)呈平面，該水平半導(dǎo)體元件和垂直半導(dǎo)體元件均為片狀結(jié)構(gòu)，該垂直半導(dǎo)體元件與該引線框架并非直接接觸，該垂直半導(dǎo)體元件的該第一側(cè)配置于該水平半導(dǎo)體元件的該第二側(cè)，且該水平半導(dǎo)體元件的該第一電極亦與該垂直半導(dǎo)體元件的該第一電極電連接；

其中，半導(dǎo)體部件進(jìn)一步包括第一連接部和導(dǎo)體層，該導(dǎo)體層位于該水平半導(dǎo)體元件的該第二側(cè)，該垂直半導(dǎo)體元件的該第一電極連接該導(dǎo)體層，該第一連接部電連接該水平半導(dǎo)體元件的該第一電極以及該導(dǎo)體層，使得該水平半導(dǎo)體元件的該第一電極以及該垂直半導(dǎo)體元件的該第一電極電連接，其中該第一連接部并非直接連接垂直半導(dǎo)體元件的第一電極。

2.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體部件，其中該水平半導(dǎo)體元件的該第一側(cè)面向該引線框架。

3.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體部件，其中該水平半導(dǎo)體元件的該控制電極與該垂直半導(dǎo)體元件的該第一電極電連接。

4.如權(quán)利要求3的半導(dǎo)體部件，進(jìn)一步包括設(shè)置于該水平半導(dǎo)體元件的該第一側(cè)的鈍化層。

5.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體部件，其中該引線框架包括多個(gè)部分。

6.如權(quán)利要求5的半導(dǎo)體部件，其中該些部分的至少二個(gè)部分共平面。

7.如權(quán)利要求5的半導(dǎo)體部件，其中該些部分的至少二個(gè)部分非共平面。

8.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體部件，其中該第一連接部包括金屬夾、導(dǎo)電金屬帶或焊接線。

9.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體部件，進(jìn)一步包括同時(shí)連接該水平半導(dǎo)體元件的該第二電極以及該引線框架的第二連接部。

10.如權(quán)利要求9的半導(dǎo)體部件，其中該第二連接部包括金屬夾、導(dǎo)電金屬帶或焊接線。

11.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體部件，進(jìn)一步包括同時(shí)連接該垂直半導(dǎo)體元件的該控制電極以及該引線框架的第三連接部。

12.如權(quán)利要求11的半導(dǎo)體部件，其中該第三連接部包括金屬夾、導(dǎo)電金屬帶或焊接線。

13.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體部件，其中該水平半導(dǎo)體元件包括金屬-絕緣體-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MISFET)、金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MESFET)、或高電子遷移率晶體管(HEMT)。

14.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體部件，其中該水平半導(dǎo)體元件包括氮化物基功率晶體管。

15.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體部件，其中該水平半導(dǎo)體元件的該第一電極為源極，該水平半導(dǎo)體元件的該第二電極為漏極，該垂直半導(dǎo)體元件的該第一電極為漏極，該垂直半導(dǎo)體元件的該第二電極為源極，而該水平、垂直半導(dǎo)體元件的該些控制電極均為柵極。

16.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體部件，其中該水平半導(dǎo)體元件的厚度大于該垂直半導(dǎo)體元件的厚度。

17.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體部件，其中該水平半導(dǎo)體元件的該控制電極與該垂直半導(dǎo)體元件的該第二電極電連接。