[發明專利]有機發光顯示裝置有效
| 申請號: | 201310412355.7 | 申請日: | 2013-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN103681760A | 公開(公告)日: | 2014-03-26 |
| 發明(設計)人: | 金信韓;金禾景;崔晎碩;曹貴正;甘潤錫;韓美榮;吳惠玟;金怠植;田成秀;宋致燏 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 呂俊剛;劉久亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示裝置 | ||
1.一種有機發光顯示裝置,所述有機發光顯示裝置包括:
形成在基板上同時彼此相對的第一電極和第二電極;以及
順序地堆疊在所述第一電極和所述第二電極之間的空穴注入層、空穴傳輸層、至少兩個發光層和電子傳輸層,
其中,所述至少兩個發光層分別包括不同的基質,同時分別摻雜有不同劑量的相同摻雜劑。
2.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其中,所述至少兩個發光層包括:
第一發光層,所述第一發光層包括第一基質,同時摻雜有黃色磷光-綠色磷光摻雜劑;以及
第二發光層,所述第二發光層包括與所述第一基質不同的第二基質,同時按照與所述第一發光層不同的劑量摻雜有與所述第一發光層相同的黃色磷光-綠色磷光摻雜劑。
3.根據權利要求2所述的有機發光顯示裝置,其中,所述第一基質具有低于或等于所述空穴傳輸層的最高占有分子軌道HOMO能級的第一HOMO能級,并且所述第一HOMO能級與所述空穴傳輸層的所述HOMO能級具有-0.05到-0.5eV的差異。
4.根據權利要求2所述的有機發光顯示裝置,其中,所述第一HOMO能級為-6.0到-5.0eV,并且所述第一基質具有-2.5到-2.3eV的第一最低未占有分子軌道(LUMO)能級,同時具有5.0×10-5到1.0×10-5cm2/Vs的空穴遷移率。
5.根據權利要求2所述的有機發光顯示裝置,其中,基于所述第一發光層的體積,所述第一發光層的所述黃色磷光-綠色磷光摻雜劑以1%到10%的劑量被摻雜在所述第一發光層中。
6.根據權利要求2所述的有機發光顯示裝置,其中,所述第二發光層具有高于或等于所述電子傳輸層的最低未占有分子軌道LUMO能級的第二LUMO能級,并且所述第二LUMO能級與所述電子傳輸層的所述LUMO能級具有-0.05到-0.5eV的差異。
7.根據權利要求2所述的有機發光顯示裝置,其中,所述第二發光層具有-6.5到-5.0eV的第二最高占有分子軌道HOMO能級以及-3.0到-2.0eV的第二最低未占有分子軌道LUMO能級,并且所述第二基質具有9.0×10-5到1.0×10-3cm2/Vs的電子遷移率。
8.根據權利要求2所述的有機發光顯示裝置,其中,基于所述第二發光層的體積,所述第二發光層的所述黃色磷光-綠色磷光摻雜劑以10%到20%的劑量被摻雜在所述第二發光層中。
9.根據權利要求2所述的有機發光顯示裝置,其中,所述第一基質和所述第二基質中的每一個均具有2.0到3.0eV的三重態能級。
10.根據權利要求2所述的有機發光顯示裝置,其中,從所述第一發光層至達到所述第二電極的位置的厚度通過下面的表達式1來表示:
[表達式1]
其中,“H’”表示從所述第一發光層至達到所述第二電極的所述位置的厚度,“n”表示折射率,并且“λ”表示所述摻雜劑的光致發光峰值波長。
11.根據權利要求2所述的有機發光顯示裝置,其中,從所述第二發光層至達到所述第二電極的位置的厚度通過下面的表達式2來表示:
[表達式2]
其中,“H”表示從所述第二發光層至達到所述第二電極的所述位置的厚度,“n”表示折射率,并且“λ”表示所述摻雜劑的光致發光峰值波長。
12.一種有機發光顯示裝置,所述有機發光顯示裝置包括:
形成在基板上同時彼此相對的第一電極和第二電極;
第一堆疊,所述第一堆疊包括順序地堆疊在所述第一電極上的空穴注入層、第三空穴傳輸層、第四空穴傳輸層、第三發光層和第二電子傳輸層;
第二堆疊,所述第二堆疊包括順序地堆疊在所述第一堆疊和所述第二電極之間的第一空穴傳輸層、第二空穴傳輸層、至少兩個發光層和第一電子傳輸層;以及
電荷生成層,所述電荷生成層被形成在所述第一堆疊和所述第二堆疊之間,以調節在所述第一堆疊和所述第二堆疊之間的電荷平衡,
其中,所述至少兩個發光層分別包括不同的基質,同時分別摻雜有不同劑量的相同的黃色磷光-綠色磷光摻雜劑。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





