[發明專利]一種多孔C/C為內襯的輕質防氧化材料結構的制備方法有效
| 申請號： | 201310412158.5 | 申請日： | 2013-09-11 |
| 公開（公告）號： | CN103722785A | 公開（公告）日： | 2014-04-16 |
| 發明（設計）人： | 陳照峰;余盛杰 | 申請（專利權）人： | 太倉派歐技術咨詢服務有限公司 |
| 主分類號： | B32B1/08 | 分類號： | B32B1/08;B32B18/00;C04B35/83;C04B35/565;C04B35/80;C04B35/622 |
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| 地址： | 215400 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多孔 內襯 輕質防 氧化 材料 結構 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種多孔C/C為內襯的輕質防氧化材料結構的制備方法，其特征在于包括以下順序的制備步驟：
(1)以石墨作為內襯，在其表面纏繞或編織C纖維形成預制件；
(2)以甲烷或天然氣作為碳的氣源，氫氣或氬氣作為稀釋氣體和載氣，將上述C纖維預制件放入沉積爐中沉積熱解C基體，升溫速率為8～10℃/min，沉積溫度為950～1500℃，沉積時間為100～300h；
(3)除去石墨芯，得到多孔C/C預制體，并對多孔體進行超聲波振蕩清洗2～4次，然后在80～120℃烘箱中烘2～4h，直到質量不再變化；
(4)在預制體表面纏繞碳布或C預浸布，沉積一薄層熱解C界面；
(5)采用CVI法制備SiC基體，以三氯甲基硅烷作為SiC的氣源，以氫氣或氬氣作為稀釋氣體和載氣，進行碳氣相滲透碳化硅，CVI溫度為1000～1300℃，時間為100～300h；
(6)最后CVD制備SiC涂層，以三氯甲基硅烷作為SiC的氣源，以氫氣或氬氣作為稀釋氣體和載氣，進行碳化硅沉積，沉積溫度為1000～1300℃，沉積時間為30～45h。
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