[發明專利]有源式有機電致發光器件背板及其制作方法有效
| 申請號: | 201310410909.X | 申請日: | 2013-09-10 |
| 公開(公告)號: | CN103456765A | 公開(公告)日: | 2013-12-18 |
| 發明(設計)人: | 徐源竣 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有源 有機 電致發光 器件 背板 及其 制作方法 | ||
1.一種有源式有機電致發光器件背板,其特征在于,包括:基板(20)、設置在基板(20)上的數個有源薄膜晶體管像素陣列及設置在所述有源薄膜晶體管像素陣列上的有機平坦層(228)、有機電致發光電極(229)、像素定義層(25)及支撐體(28),每一有源薄膜晶體管像素陣列包括驅動薄膜晶體管(22)及開關薄膜晶體管(24),所述驅動薄膜晶體管(22)的柵極絕緣層(220)的厚度大于所述開關薄膜晶體管(24)的柵極絕緣層(240)的厚度。
2.如權利要求1所述的有源式有機電致發光器件背板,其特征在于,所述驅動薄膜晶體管(22)包括設置在基板(20)上的結晶半導體層(221),設置在結晶半導體層(221)上的第一柵極絕緣層(222)、設置在第一柵極絕緣層(222)上柵極絕緣結構(224)、設置在柵極絕緣結構(224)上的柵極(225)、設置在柵極(225)上的保護層(226)、及設置在保護層(226)上的源極/漏極(227),所述第一柵極絕緣層(222)與柵極絕緣結構(224)共同形成所述驅動薄膜晶體管(22)的柵極絕緣層(220),所述柵極絕緣結構(224)用于減小驅動薄膜晶體管(22)的柵極電容,進而增大驅動薄膜晶體管(22)的亞閾值擺幅,以利于實現灰階定義。
3.如權利要求2所述的有源式有機電致發光器件背板,其特征在于,所述開關薄膜晶體管(24)的柵極絕緣層(240)的厚度小于或等于所述驅動薄膜晶體管(22)第一柵極絕緣層(222)的厚度。
4.如權利要求2所述的有源式有機電致發光器件背板,其特征在于,所述有機平坦化層(228)設置在源極/漏極(227)之上。
5.如權利要求2所述的有源式有機電致發光器件背板,其特征在于,所述保護層(226)包括氧化硅層、氮化硅層之一或其組合;所述有機電致發光電極(229)的材料包含有氧化銦錫或銀中至少一種或其組合。
6.如權利要求2所述的有源式有機電致發光器件背板,其特征在于,所述第一柵極絕緣層(222)為單層或多層結構,其包括氧化硅層、氮化硅層之一或其組合;所述柵極絕緣結構(224)為單層或多層結構,其包括氧化硅層、氮化硅層之一或其組合。
7.如權利要求1所述的有源式有機電致發光器件背板,其特征在于,還包括緩沖層(26),該緩沖層(26)設置于基板(20)與所述有源薄膜晶體管像素陣列之間。
8.一種有源式有機電致發光器件背板的制作方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1、提供一基板(20);
步驟2、在基板(20)上形成緩沖層(26);
步驟3、在緩沖層(26)上形成結晶半導體層(221);
步驟4、在結晶半導體層(221)上依次沉積下層柵極絕緣層與上層柵極絕緣層;
步驟5、圖案化該上層柵極絕緣層以形成驅動薄膜晶體管(22)的柵極絕緣結構(224);所述下層柵極絕緣層形成驅動薄膜晶體管(22)的第一柵極絕緣層(222)及開關薄膜晶體管(24)的柵極絕緣層(240),所述第一柵極絕緣層(222)與柵極絕緣結構(224)共同形成所述驅動薄膜晶體管(22)的柵極絕緣層(220);
步驟6、在驅動薄膜晶體管(22)的柵極絕緣層(220)上形成驅動薄膜晶體管(22)的柵極(225)、保護層(226)、及源極/漏極(227),同時,在開關薄膜晶體管(24)的柵極絕緣層(240)形成開關薄膜晶體管(24)的柵極(245)、保護層(246)、及源極/漏極(247);
步驟7、在驅動薄膜晶體管(22)的源極/漏極(227)及開關薄膜晶體管(24)的源極/漏極(247)形成有機平坦化層(228);
步驟8、在有機平坦化層(228)上形成有機電致發光電極(229),該有機電致發光電極(229)連接于所述驅動薄膜晶體管(22)的源極/漏極(227)上。
9.如權利要求8所述的有源式有機電致發光器件背板的制作方法,其特征在于,還包括步驟9、在有機平坦化層(228)上形成像素定義層(25),在像素定義層(25)上形成支撐體(28)。
10.如權利要求8所述的有源式有機電致發光器件背板的制作方法,其特征在于,所述第一柵極絕緣層(222)為單層或多層結構,其包括氧化硅層、氮化硅層之一或其組合;所述柵極絕緣結構(224)為單層或多層結構,其包括氧化硅層、氮化硅層之一或其組合;所述保護層(226)包括氧化硅層、氮化硅層之一或其組合;所述有機電致發光電極(229)的材料包含有氧化銦錫或銀中至少一種或其組合。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市華星光電技術有限公司,未經深圳市華星光電技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310410909.X/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





