[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310408666.6
• 申請日: 2013-09-10
• 公開（公告）號: CN103681238A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沼口浩之
• 申請（專利權(quán)）人: 拉碧斯半導(dǎo)體株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/304
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 袁波;李浩

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括：

元件工序，在半導(dǎo)體晶片的第一主面的被假想的切割線所包圍的多個元件區(qū)域的每一個形成半導(dǎo)體元件；

磨削工序，以使所述半導(dǎo)體晶片的與所述第一主面相反側(cè)的第二主面的外周部比內(nèi)周部厚的方式磨削所述第二主面；

金屬膜形成工序，在所述磨削工序中被磨削的所述第二主面以避開與所述切割線對應(yīng)的部分的方式形成金屬膜；以及

切斷工序，沿所述切割線上的所述金屬膜的非形成部從所述第二主面?zhèn)惹袛嗨霭雽?dǎo)體晶片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，所述金屬膜形成工序包括：

在所述半導(dǎo)體晶片的所述第二主面形成第一金屬膜的工序；

除去所述第一金屬膜的與所述切割線重疊的部分的工序；以及

在所述第二主面上，在殘存的所述第一金屬膜上形成第二金屬膜的工序。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其中，除去所述第一金屬膜的與所述切割線重疊的部分的工序包括：

在所述第一金屬膜上形成具有沿所述切割線的開口部的抗蝕劑掩模的工序；以及

經(jīng)由所述抗蝕劑掩模對所述第一金屬膜進(jìn)行蝕刻的工序。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方法，其中，

所述抗蝕劑掩模使用基于形成在所述半導(dǎo)體晶片的所述第一主面的定位標(biāo)記進(jìn)行定位的玻璃掩模進(jìn)行曝光處理，形成所述開口部。

5.根據(jù)權(quán)利要求2至4的任一項(xiàng)所述的制造方法，其中，

使所述第一金屬膜作為鍍覆種子層發(fā)揮功能，在所述第一金屬膜上通過鍍覆處理形成所述第二金屬膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其中，

所述第一金屬膜由離子化趨勢比所述第二金屬膜大的金屬構(gòu)成。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其中，

所述第一金屬膜包括鋁，所述第二金屬膜包括金。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其中，

所述第二金屬膜包括鎳鍍覆層及金鍍覆層。

9.一種半導(dǎo)體裝置，通過權(quán)利要求1至8的任一項(xiàng)所述的制造方法制造，其中，

在所述半導(dǎo)體晶片的與所述第二主面對應(yīng)的面，在沿所述切斷工序中表露出的切斷面的外周區(qū)域具有所述金屬膜的非形成部。