[發(fā)明專利]聚偏氟乙烯薄膜的極化工藝無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310406937.4 | 申請日： | 2013-09-10 |
| 公開（公告）號： | CN104425704A | 公開（公告）日： | 2015-03-18 |
| 發(fā)明（設計）人： | 龔伶 | 申請（專利權）人： | 龔伶 |
| 主分類號： | H01L41/45 | 分類號： | H01L41/45 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 610000 四川*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 聚偏氟 乙烯 薄膜 極化 工藝 | ||
1.聚偏氟乙烯薄膜的極化工藝，其特征在于，包括以下步驟：
步驟一、在聚偏氟乙烯薄膜的一個面上蒸鍍厚度為90～100nm的銀作為金屬電極；
步驟二、將鍍有金屬電極的聚偏氟乙烯薄膜置于加熱器內(nèi)，聚偏氟乙烯薄膜鍍有金屬電極的一面向下并接地，在聚偏氟乙烯薄膜上方設置網(wǎng)格電極，再在網(wǎng)格電極上方設置銅電極針，其中，銅電極針下端和網(wǎng)格電極均位于加熱器內(nèi)；
步驟三、將加熱器內(nèi)溫度調(diào)至50～60℃，并向網(wǎng)格電極通5KV電壓，向銅電極針通15KV電壓，持續(xù)3～5min；
步驟四、停止加熱和通電，并將極化后的聚偏氟乙烯薄膜取出放入干燥器內(nèi)。
2.根據(jù)權利要求1所述的聚偏氟乙烯薄膜的極化工藝，其特征在于，所述聚偏氟乙烯薄膜上銀電極的厚度為95nm。
3.根據(jù)權利要求1所述的聚偏氟乙烯薄膜的極化工藝，其特征在于，所述網(wǎng)格電極與聚偏氟乙烯薄膜的間距為1.5cm，所述銅電極針與網(wǎng)格電極的間距為3.5cm。
4.根據(jù)權利要求1所述的聚偏氟乙烯薄膜的極化工藝，其特征在于，所述加熱器和銅電極針均設于屏蔽金屬絲罩內(nèi)。
5.根據(jù)權利要求1～4中任意一項所述的聚偏氟乙烯薄膜的極化工藝，其特征在于，所述加熱器內(nèi)溫度為55℃，持續(xù)時間為4min。
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