[發明專利]基于寬禁帶半導體碳化硅晶體的光參量振蕩激光器有效
| 申請號： | 201310400907.2 | 申請日： | 2013-09-05 |
| 公開（公告）號： | CN103427329A | 公開（公告）日： | 2013-12-04 |
| 發明（設計）人： | 于浩海;徐現剛;路大治;陳秀芳;胡小波;張懷金 | 申請（專利權）人： | 山東大學 |
| 主分類號： | H01S3/16 | 分類號： | H01S3/16 |
| 代理公司： | 濟南金迪知識產權代理有限公司 37219 | 代理人： | 許德山 |
| 地址： | 250100 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 寬禁帶 半導體 碳化硅 晶體 參量 振蕩 激光器 | ||
1.基于寬禁帶半導體材料碳化硅晶體的光參量振蕩激光器，其特征在于依次包括激勵源（1）、輸入鏡（2）、半導體SiC晶體（3）和輸出鏡（4）；
所述半導體SiC晶體沿其光參量振蕩的相位匹配方向切割，表面鍍膜或不鍍膜；所述表面鍍膜是在SiC晶體通光面鍍以對激勵光、信頻光和閑頻光高透過的介質膜；
所述激勵源（1）是全固態脈沖激光器；
所述輸入鏡（2）兩個通光面鍍以對激勵光高透過且對信頻光和閑頻光高反射的介質膜，輸出鏡（4）鍍以對信頻光高反射且對閑頻光部分透過的介質膜。
2.如權利要求1所述的激光器，其特征在于：所述半導體SiC晶體為單晶體，選自6H-SiC晶體或4H-SiC晶體。
3.如權利要求2所述的激光器，其特征在于：所述6H-SiC晶體的通光方向與光軸成47°-73°角。
4.如權利要求2所述的激光器，其特征在于：所述4H-SiC晶體的通光方向與光軸成38°-55°角。
5.如權利要求1所述的激光器，其特征在于：所述半導體SiC晶體的通光方向長度為0.5mm-50mm；優選的，所述半導體SiC晶體長度為10mm-40mm。
6.如權利要求1所述的激光器，其特征在于：所述的輸入鏡（2）是平面鏡或凹面鏡，輸出鏡（4）平面鏡或凹面鏡。
7.如權利要求1所述的激光器，其特征在于：所述的激勵源是產生波長為1.06μm的全固態脈沖激光器。
8.如權利要求1所述的激光器，其特征在于：所述的激勵源是1.06μm調Q激光器或1.06μm鎖模激光器。
9.如權利要求1所述的激光器，其特征在于：該光參量振蕩激光器產生1.28μm-6μm的中紅外激光輸出。
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