[發明專利]陣列基板及其制作方法、柔性顯示器件及電子設備有效
| 申請號: | 201310398061.3 | 申請日: | 2013-09-04 |
| 公開(公告)號: | CN103456743B | 公開(公告)日: | 2016-11-23 |
| 發明(設計)人: | 秦緯;周偉峰;程鴻飛 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;黃燦 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制作方法 柔性 顯示 器件 電子設備 | ||
1.一種陣列基板,包括柔性基板和在所述柔性基板上形成的陣列層,其特征在于,所述陣列層包括:
多條柵線和多條數據線,相互交叉在所述柔性基板上形成多個子像素區;
設置于所述子像素區中的薄膜晶體管,與對應的數據線和柵線連接;
其中,所述多條數據線/柵線中包括第一信號傳輸線和長度大于第一信號傳輸線的長度的第二信號傳輸線,所述第二信號傳輸線的截面面積大于所述第一信號傳輸線的截面面積,使得截面面積不同的第一信號傳輸線與第二信號傳輸線之間的第一傳輸時延差小于截面面積相同的第一信號傳輸線與第二信號傳輸線之間的第二傳輸時延差。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,任意兩條長度不同的數據線/柵線,長度較長的數據線/柵線的截面面積大于長度較短的數據線/柵線的截面面積。
3.根據權利要求1或2所述的陣列基板,其特征在于,所述第一信號傳輸線和第二信號傳輸線的截面寬度相同,第二信號傳輸線的截面厚度大于第一信號傳輸線的截面厚度。
4.根據權利要求1或2所述的陣列基板,其特征在于,所述數據線和/或柵線相對于所述柔性基板的任意一個側邊的夾角不等于90度。
5.根據權利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述數據線和柵線相互垂直,且所述數據線與所述柔性基板的一個側邊的夾角在30度到60度之間。
6.根據權利要求5所述的陣列基板,其特征在于,所述數據線與所述柔性基板的一個側邊的夾角為45度。
7.根據權利要求1或2所述的陣列基板,其特征在于:
按照所述數據線/柵線的排列方向,所述數據線/柵線被柔性基板的對角線分為兩個部分;
按照所述數據線/柵線的排列方向,其中一部分的數據線/柵線中,在先的數據線的長度小于在后的數據線的長度,另一部分的數據線中,在先的數據線的長度大于在后的數據線的長度。
8.一種柔性顯示器件,包括權利要求1-7中任意一項所述的陣列基板。
9.一種電子設備,包括權利要求8所述的柔性顯示器件。
10.一種陣列基板的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
形成金屬薄膜層;
對所述金屬薄膜層進行蝕刻處理,形成多條數據線/柵線;
其中,所述多條數據線/柵線中包括第一信號傳輸線和長度大于第一信號傳輸線的長度的第二信號傳輸線,所述第二信號傳輸線的截面面積大于所述第一信號傳輸線的截面面積,使得截面面積不同的第一信號傳輸線與第二信號傳輸線之間的第一傳輸時延差小于截面面積相同的第一信號傳輸線與第二信號傳輸線之間的第二傳輸時延差。
11.根據權利要求10所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,任意兩條長度不同的數據線/柵線,長度較長的數據線/柵線的截面面積大于長度較短的數據線/柵線的截面面積。
12.根據權利要求10或11所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,所述形成金屬薄膜層的步驟通過濺射工藝制作。
13.根據權利要求12所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,所述形成金屬薄膜層的步驟具體包括:
形成一磁場,在待制作的數據線/柵線的排列方向上,所述磁場的磁場強度先變大后變小;
利用被電場加速后的等離子化惰性氣體撞擊靶材,撞擊出原子在所述磁場的作用下沉積形成所述金屬薄膜層;
其中,在所述磁場的作用下沉積形成的金屬薄膜層,按照待制作的數據線/柵線的排列方向,分為兩個部分;
在所述數據線/柵線的排列方向上,其中一部分金屬薄膜層的厚度逐漸增大,而另一部分金屬薄膜層的厚度逐漸減小。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





