[發(fā)明專利]具有埋設(shè)的金屬硅化物層的半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310394940.9
• 申請(qǐng)日: 2013-09-03
• 公開（公告）號(hào): CN103904115B
• 公開（公告）日: 2019-01-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李相道;李海丁;金明洙;姜相吉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336;H01L27/108
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 邱軍

一種半導(dǎo)體器件，其包括基板和設(shè)置在基板上且由溝槽彼此分隔的多個(gè)有源柱。多個(gè)有源柱的每一個(gè)包括埋設(shè)的金屬硅化物圖案和堆疊在埋設(shè)的金屬硅化物圖案上的有源區(qū)域，并且有源區(qū)域包括雜質(zhì)結(jié)區(qū)域。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法，特別是，涉及具有埋設(shè)的金屬硅化物層的半導(dǎo)體器件及其制造方法。

背景技術(shù)

隨著數(shù)字家電尺寸上的變小以及移動(dòng)系統(tǒng)日漸普及，數(shù)字家電和移動(dòng)系統(tǒng)中采用的半導(dǎo)體器件正在不斷按比例變小。提高動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)(DRAM)器件或包括存儲(chǔ)單元的閃存器件中的器件集成度的努力通常導(dǎo)致存儲(chǔ)單元占用面積(平面面積)的減小。通常，DRAM器件的單位存儲(chǔ)單元包括單元晶體管和單元電容器。DRAM單元晶體管可形成于半導(dǎo)體基板之中和/或之上，并且DRAM單元電容器可堆疊在DRAM單元晶體管上以提高DRAM器件的集成度。

DRAM單元晶體管可通過存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸塞電連接到DRAM單元電容器，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸塞設(shè)置在DRAM單元晶體管的源極區(qū)域和DRAM單元電容器的底部電極之間。此外，DRAM單元晶體管的漏極區(qū)域可通過位線接觸塞電連接到位線，并且DRAM單元晶體管的柵極電極可電連接到字線。因此，用于傳輸電信號(hào)的位線和字線可設(shè)置在DRAM單元晶體管和DRAM單元電容器之間。因此，由于位線和字線的存在，可能對(duì)增大單元電容值存在某些限制。而且，大部分DRAM單元晶體管可形成為具有平面構(gòu)造。在此情況下，如果減小字線的寬度來增加DRAM器件的集成度，則可能增大字線的電阻。結(jié)果，可能增加字線的RC延遲時(shí)間而降低DRAM器件的性能。另外，如果成比例縮小平面型單元晶體管，則平面型單元晶體管的泄漏電流可能突然增加而降低DRAM器件的單元特性。從而，已經(jīng)提出了垂直晶體管來解決或者克服平面晶體管的缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容

各種實(shí)施例涉及具有埋設(shè)的金屬硅化物層的半導(dǎo)體器件及其制造方法。

根據(jù)某些實(shí)施例，半導(dǎo)體器件包括基板以及設(shè)置在基板上以由溝槽彼此分隔的多個(gè)有源柱。多個(gè)有源柱的每一個(gè)均包括埋設(shè)的金屬硅化物圖案和堆疊在埋設(shè)的金屬硅化物圖案上的有源區(qū)域，并且有源區(qū)域包括其中的雜質(zhì)結(jié)區(qū)域。

在某些實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件還可包括設(shè)置在溝槽中的局部填充絕緣層。局部填充絕緣層可設(shè)置在溝槽的底表面位置和第一高度位置之間，第一高度位置與金屬硅化物圖案的底表面位于相同的高度。局部填充絕緣層可包括氧化硅層。

在某些實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件還可包括設(shè)置在各個(gè)有源柱上的覆蓋絕緣圖案。覆蓋絕緣圖案可包括氮化硅層。半導(dǎo)體器件還可包括隔板，設(shè)置在覆蓋絕緣圖案的各側(cè)壁上。隔板可延伸到覆蓋絕緣圖案下有源區(qū)域的側(cè)壁。隔板可包括氧化硅層。

在某些實(shí)施例中，埋設(shè)的金屬硅化物圖案可包括硅化鈷層。

在某些實(shí)施例中，有源區(qū)域中的雜質(zhì)結(jié)區(qū)域可包括設(shè)置在有源區(qū)域的上部中的上雜質(zhì)區(qū)域和設(shè)置在有源區(qū)域的下部中的下雜質(zhì)區(qū)域。

根據(jù)進(jìn)一步的實(shí)施例，半導(dǎo)體器件包括多個(gè)有源柱，其設(shè)置在基板上以由交替排列的第一溝槽和第二溝槽彼此分隔。多個(gè)有源柱的每一個(gè)均包括川頁序堆疊的埋設(shè)的金屬硅化物圖案和有源區(qū)域。第一溝槽填充有完全填充絕緣層。局部填充絕緣層設(shè)置在第二溝槽中。局部填充絕緣層設(shè)置在第二溝槽的底表面位置和第一高度位置之間，第一高度位置與埋設(shè)的金屬硅化物圖案的底表面位于相同的高度。隔板設(shè)置在第二溝槽中有源區(qū)域的各側(cè)壁上。有源區(qū)域包括其中的雜質(zhì)結(jié)區(qū)域。

在某些實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件還可包括在各有源柱上的覆蓋絕緣圖案。

在某些實(shí)施例中，埋設(shè)的金屬硅化物圖案可包括硅化鈷層。