[發(fā)明專利]一種無靜態(tài)功耗的芯片打線選擇電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310391755.4 | 申請(qǐng)日: | 2013-09-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103457599B | 公開(公告)日: | 2019-02-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙東世 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 矽恩微電子(廈門)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H03K19/0185 | 分類號(hào): | H03K19/0185 |
| 代理公司: | 廈門市新華專利商標(biāo)代理有限公司 35203 | 代理人: | 廖吉保 |
| 地址: | 361000 福建省*** | 國省代碼: | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 靜態(tài) 功耗 芯片 選擇 電路 | ||
1.一種無靜態(tài)功耗的芯片打線選擇電路,其特征在于:包括PMOS管T1、電阻R1、電容C1、PMOS管T2、NMOS管T3、電阻R2及PMOS管T4;PMOS管T1的D極與電路控制端及電路受控端連接,G極接電容C1及電阻R 2一端,還接PMOS管T4的D極;PMOS管T1的S極串聯(lián)電阻R1后接VDD、PMOS管T4的S極和G極及PMOS管T2的S極;電容C1的另一端接GND;電阻R2的另一端同時(shí)接PMOS管T2與NMOS管T3的D極,NMOS管T3的S極接GND,而PMOS管T2與NMOS管T3的G極相接后連接電路受控端;
合理設(shè)置寬長比,使PMOS管T4以及PMOS管T2的寬長比小于NMOS管T3的寬長比,確保芯片上電時(shí)PMOS管T1的G極為低電位,T1導(dǎo)通。
2.如權(quán)利要求1所述的一種無靜態(tài)功耗的芯片打線選擇電路,其特征在于:電路控制端為芯片打線連接盤,芯片打線連接盤懸空或者接GND。
3.如權(quán)利要求1所述的一種無靜態(tài)功耗的芯片打線選擇電路,其特征在于:電路受控端為輸出邏輯引腳,輸出邏輯引腳接芯片。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于矽恩微電子(廈門)有限公司,未經(jīng)矽恩微電子(廈門)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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