[發(fā)明專利]絕緣柵雙極型晶體管及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310389136.1
• 申請(qǐng)日: 2013-08-30
• 公開（公告）號(hào): CN104425249A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃璇;王根毅;鄧小社
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無(wú)錫華潤(rùn)上華半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/331
• 分類號(hào): H01L21/331;H01L21/683;H01L29/739
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 徐丁峰;付偉佳

1.一種絕緣柵雙極型晶體管的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供N型摻雜的半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底具有第一表面及與所述第一表面相對(duì)的第二表面；

N型摻雜所述半導(dǎo)體襯底的靠近所述第一表面的區(qū)域，以形成緩沖層；

P型摻雜所述半導(dǎo)體襯底的靠近所述第一表面的區(qū)域，以形成集電極層，其中所述集電極層的深度小于所述緩沖層的深度；

提供支撐襯底，并在所述第一表面將所述支撐襯底鍵合至所述半導(dǎo)體襯底；

從所述第二表面減薄所述半導(dǎo)體襯底；

在所述第二表面制備所述絕緣柵雙極型晶體管的正面結(jié)構(gòu)；

去除所述支撐襯底，以露出所述集電極層；以及

在所述集電極層上制備所述絕緣柵雙極型晶體管的集電極金屬層。

2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述支撐襯底的厚度與減薄后的所述半導(dǎo)體襯底厚度之和構(gòu)造為使其能夠在線流通。

3.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，去除所述支撐襯底的步驟還包括去除預(yù)定厚度的所述集電極層。

4.如權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述預(yù)定厚度為0.2～5μm。

5.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，去除所述支撐襯底的方法為先減薄后刻蝕。

6.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述絕緣柵雙極型晶體管為平面柵型絕緣柵雙極型晶體管或溝槽柵型絕緣柵雙極型晶體管。

7.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述方法在制備所述正面結(jié)構(gòu)之前還包括對(duì)所述第二表面進(jìn)行表面平坦化處理。

8.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述緩沖層厚度為2～100μm。

9.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述緩沖層是通過離子注入形成的，注入劑量為1×10¹²～1×10¹⁷離子數(shù)/cm²。

10.一種絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述絕緣柵雙極型晶體管為按照如權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述方法制備形成。