[發明專利]電可擦除可編程只讀存儲器的控制方法

在審

• 申請號: 201310386339.5
• 申請日: 2013-08-29
• 公開（公告）號: CN103456363A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發明（設計）人: 顧靖
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G11C16/28
• 分類號: G11C16/28;G11C16/06
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種電可擦除可編程只讀存儲器的控制方法。

背景技術

隨著存儲技術的發展，出現了各種類型的存儲器，如隨機存儲器（RAM）、只讀存儲器（ROM）、動態隨機存儲器（DRAM）、可擦除可編程只讀存儲器（EPROM）、電可擦除可編程只讀存儲器（EEPROM）和閃存（Flash）等。其中，電可擦除可編程只讀存儲器（EEPROM）是一種斷電后數據也不會丟失的存儲器，可在電腦或者專用設備上擦除已有信息，重新編程，即插即用。

電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)的擦除不需要借助其他設備，直接以電子信號來修改數據內容，擺脫了可擦除可編程只讀存儲器（EPROM）中編程器和擦除器的束縛。而且，電可擦除可編程只讀存儲器（EEPROM）可以按字節擦除，不像閃存（Flash）需要全片或分塊地擦除。

請參考圖1，其為現有技術的電可擦除可編程只讀存儲器的部分結構示意圖。如圖1所示，電可擦除可編程只讀存儲器（EEPROM）包括半導體襯底（圖中未示出）和形成于所述半導體襯底上的多個存儲器單元，其中，所述半導體襯底分成多個襯底區域10，所述多個襯底區域10通過DNW相互隔離，每個襯底區域10為一個字節，一個字節一般設置有8列存儲器單元。所述存儲器單元11包括存儲單元（圖1中的方塊表示存儲單元）、源極（S）、漏極（D）和控制柵（CG），所述存儲器單元呈陣列設置，同一行的存儲器單元共用一條字線（WL），同一行的存儲器單元的控制柵（CG）相互連接。電可擦除可編程只讀存儲器（EEPROM）通過對字線（WL）、控制柵（CG）、源極（S）及漏極（D）施加不同的工作電壓，可以實現對存儲器單元的讀取、編程和擦除操作。

通常的，電可擦除可編程只讀存儲器（EEPROM）是按照字節進行擦除的，即進行擦除時位于同一襯底區域10上的8列存儲器單元的一起被擦除的。由于同一行的存儲器單元的控制柵（CG）相互連接，其他未選中的存儲器單元的控制柵上所施加的電壓和選中的8列存儲器單元一樣，都為負電壓，一般在-7V左右。未選中的存儲器單元的控制柵上所施加的負電壓會耦合到未選中的存儲器單元上，使得未選中的存儲器單元也被擦除。

因此，如何解決現有的電可擦除可編程只讀存儲器在對選中的存儲器單元進行擦除操作的同時，對其他存儲器單元造成串擾的問題成為當前亟需解決的技術問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種電可擦除可編程只讀存儲器的控制方法，以解決現有的存儲器在對選中的存儲器單元進行擦除操作的同時，對其他存儲器單元造成串擾的問題。

為解決上述技術問題，本發明提供一種電可擦除可編程只讀存儲器的控制方法，所述電可擦除可編程只讀存儲器的控制方法包括：通過對存儲器單元的控制柵、源極、漏極以及與該存儲器單元相連的字線分別施加第一電壓、第二電壓、第三電壓和第四電壓以實現擦除操作；

其中，擦除操作時對未選中的存儲器單元下面的襯底區域均施加一附加電壓，所述附加電壓的極性與所述第一電壓的極性相反。

可選的，在所述的電可擦除可編程只讀存儲器的控制方法中，所述第一電壓的電壓范圍在-7.5V到-6.5V之間，所述第二電壓的電壓范圍在-0.5V到0.5V之間，所述第三電壓的電壓范圍在-0.5V到0.5V之間，所述第四電壓的電壓范圍在8V到9V之間。

可選的，在所述的電可擦除可編程只讀存儲器的控制方法中，所述第一電壓、第二電壓、第三電壓、第四電壓分別是-7V、0V、0V和8.5V。

可選的，在所述的電可擦除可編程只讀存儲器的控制方法中，所述附加電壓是3V或5V。

可選的，在所述的電可擦除可編程只讀存儲器的控制方法中，還包括：通過對存儲器單元的控制柵、源極、漏極以及與該存儲器單元相連的字線分別施加第五電壓、第六電壓、第七電壓和第八電壓以實現讀取操作。

可選的，在所述的電可擦除可編程只讀存儲器的控制方法中，所述第五電壓、第六電壓、第七電壓和第八電壓分別是0V、0V、1V和3V。

可選的，在所述的電可擦除可編程只讀存儲器的控制方法中，還包括：通過對存儲器單元的控制柵、源極、漏極以及與該存儲器單元相連的字線分別施加第九電壓、第十電壓、第十一電壓、第十二電壓以實現編程操作。

可選的，在所述的電可擦除可編程只讀存儲器的控制方法中，所述第九電壓、第十電壓、第十一電壓、第十二電壓分別是8V、5.5V、Vdp和1.5V；