[發明專利]一種寬頻振動能量采集器結構及其制造方法無效
| 申請號： | 201310385405.7 | 申請日： | 2013-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN104426424A | 公開（公告）日： | 2015-03-18 |
| 發明（設計）人： | 李志剛;歐毅;歐文;陳大鵬;葉甜春 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H02N2/18 | 分類號： | H02N2/18 |
| 代理公司： | 北京漢昊知識產權代理事務所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 寬頻 振動 能量 采集 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種振動能量采集器結構的制造方法，該方法包括以下步驟：
a)提供下框架（101）和上框架（102），并分別在下框架（101）的上表面和上框架（102）的下表面形成金屬層(103)；
b)提供壓電薄膜（104），并在其表面形成金屬層(105)；
c)利用下框架（101）和上框架（102）將壓電薄膜（104）固定在中間，形成三明治結構；
d)在壓電薄膜中間位置設置質量塊（106）。
2.根據權利要求1所述的制造方法，其中所述下框架（101）和上框架（102）是具有非對稱邊框結構的體硅片。
3.根據權利要求1或權利要求2所述的制造方法，其中體硅片的非對稱邊框結構是用激光劃片的或者KOH溶液腐蝕方式加工而成。
4.根據權利要求1所述的制造方法，其中步驟a）和步驟b）所述的框架上的金屬層（103）和壓電薄膜上的金屬層（105）是通過濺射或者蒸發金屬薄膜的方式形成的。
5.根據權利要求1中步驟c）所述的制造方法，利用上框架（102）、下框架（101）對壓電薄膜（104）進行固定的方式是在相互接觸的部位進行導電性鍵合。
6.根據權利要求5中所述的制造方法，在進行導電性鍵合之后，上框架（102）與壓電膜薄（104）、下框架（101）與壓電薄膜（104）之間均有良導電性。
7.根據權利要求1所述的制造方法，其中壓電薄膜（104）是具有壓電特性的有機薄膜。
8.根據權利要求1所述的制造方法，其中步驟b）所述的壓電薄膜（104）兩側均形成有金屬層（105）。
9.根據權利要求1所述的制造方法，其中步驟d）所述的質量塊（106）與壓電薄膜（104）使用強力膠形成高強度黏附。
10.根據權利要求1所述的制造方法，其中所述質量塊（106）的材料是Ni。
11.一種震動能量采集器結構，包括：
下框架（101）；
壓電薄膜（104），位于所述下框架（101）上方；
上框架（102），位于所述壓電薄膜（104）的上方，且與所述下框架（101）將壓電薄膜（104）固定在中間，形成三明治結構；
質量塊（106），位于所述壓電薄膜（104）中間位置的上方。
12.根據權利要求11所述的震動能量采集器結構，其中所述上框架（102）和下框架（101）具有非對稱的邊框結構。
13.根據權利要求11所述的震動能量采集器結構，其中上框架（102）與壓電膜薄（104）、下框架（101）與壓電薄膜（104）之間通過導電性鍵合的方式固定。
14.根據權利要求11所述的振動能量采集器結構，其中所述質量塊（106）與壓電薄膜（104）之間使用強力膠形成高強度黏附。
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