[發(fā)明專利]高K二氧化鉿非晶薄膜的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310385092.5
• 申請日: 2013-08-29
• 公開（公告）號: CN103451612A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發(fā)明（設計）人: 唐武;楊宇桐
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: C23C14/40
• 分類號: C23C14/40;C23C14/54;C23C14/08
• 代理公司: 成都虹橋?qū)＠聞账?普通合伙) 51124
• 代理人: 劉世平

1.高K二氧化鉿非晶薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1、對硅基片進行表面清潔處理，并去除硅基片表面的自然氧化層，放入真空室基底；

步驟2、對金屬鉿靶進行表面打磨清潔處理，作為靶材放入真空室靶位，靶位與基底相對應并具有一定垂直距離，且將靶材擋板關閉，所述靶材擋板設置在靶位上，且位于靶材與基底之間靠近靶材的位置；

步驟3、利用高真空多功能射頻濺射鍍膜設備，對真空室進行抽真空；

步驟4、通入適量氬氣并打開偏壓裝置對基片進行反濺清潔，反濺清潔一定時間后關閉偏壓設備，打開射頻電源并調(diào)整射頻電源功率；

步驟5、進行預濺射，對靶材進行表面清潔；

步驟6、調(diào)整氬氣通量，通入氧氣，打開靶材擋板正式進行二氧化鉿薄膜的濺射，經(jīng)過沉積形成二氧化鉿非晶薄膜。

2.根據(jù)權利要求1所述高K二氧化鉿非晶薄膜的制備方法，其特征在于，所述硅基片晶向（100）的n型硅基片。

3.根據(jù)權利要求1所述高K二氧化鉿非晶薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟1具體為：將硅基片用超聲波清洗儀在丙酮和酒精中分別清洗一段固定時間以進行表面清潔處理，烘干后放入一定濃度的氫氟酸溶液中浸泡一段時間以除去硅基片表面的自然氧化層，使用離子水清洗該硅基片，在氮氣氣氛下完全干燥后放入真空室基底。

4.根據(jù)權利要求3所述高K二氧化鉿非晶薄膜的制備方法，其特征在于，所述一段固定時間為10～15分鐘，一定濃度為5%濃度，一段時間為1～2分鐘。

5.根據(jù)權利要求1所述高K二氧化鉿非晶薄膜的制備方法，其特征在于，步驟2中，所述一定垂直距離為50mm。

6.根據(jù)權利要求1所述高K二氧化鉿非晶薄膜的制備方法，其特征在于，步驟3中，所述預抽背底真空的真空度小于等于7×10^-4Pa。

7.根據(jù)權利要求1所述高K二氧化鉿非晶薄膜的制備方法，其特征在于，步驟4中，所述射頻電源功率為150W～300W，一定時間為15～20分鐘。

8.根據(jù)權利要求1所述高K二氧化鉿非晶薄膜的制備方法，其特征在于，步驟6中，所述進行二氧化鉿薄膜的濺射時，基底進行自旋。

9.根據(jù)權利要求1所述適用于高K二氧化鉿非晶薄膜的制備方法，其特征在于，步驟6中，所述氬氣通量為120sccm，氧氣通量為40～70sccm。

10.根據(jù)權利要求1或2或3或4或5或6或7或8或9所述適用于高K二氧化鉿非晶薄膜的制備方法，其特征在于，步驟6中，所述沉積形成二氧化鉿非晶薄膜的時間為10～30分鐘。