[發明專利]一種不良芯片篩選方法

無效

• 申請號: 201310382429.7
• 申請日: 2013-08-28
• 公開（公告）號: CN103406280A
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發明（設計）人: 李明
• 申請（專利權）人: 長貝光電（武漢）有限公司
• 主分類號: B07C5/00
• 分類號: B07C5/00;B07C5/34;H01L21/67
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司 11212
• 代理人: 楊立

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種不良芯片的篩選方法。

背景技術

在半導體芯片生產過程中極易受到多種污染的損害，主要的污染源有以下幾大類：空氣、廠房設備、潔凈室工作人員、工藝使用化學試劑、工藝用膠、工藝化學氣體、靜電等。半導體芯片污染帶來的嚴重后果是：直接影響材料的利用率、產品的良品率以及生產效率。

半導體芯片污染損害的具體表現是：芯片在鍍膜前表面清潔處理不當或鍍膜的保護做得不到位，導致芯片在共晶貼片過程中因受熱而出現圓斑、鍍膜脫落、鍍膜起皮、鍍膜氣泡等問題。并且該不良現象在常溫下不易被發現，只有在共晶加熱后才容易被發現，但此時芯片與熱沉之間、熱沉與底座已被金錫焊料焊接固化。由于芯片的不合格導致熱沉、底座等原材料的浪費，以及生產效率的降低，無形的增加了芯片生產成本。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是針對芯片共晶前出現不良問題，提供一種不良芯片篩選方法。

本發明解決上述技術問題的技術方案如下：一種不良芯片篩選方法，包括如下步驟:

步驟1:將共晶之前的芯片放置于載玻片上；

步驟2：將放置有芯片的載玻片放置在溫度為280℃-330℃加熱臺上進行10-30s加熱處理；

步驟3：待加熱處理完畢，將帶有芯片的載玻片放置于顯微鏡下進行不良檢測；

步驟4：根據步驟3檢測結果，不合格芯片被篩選剔除，合格芯片進行后續工藝生產。

在上述技術方案的基礎上，本發明還可以做如下改進。

進一步，步驟1中所述芯片放置于載玻片上的具體實現如下:將共晶處理之前的芯片，通過防靜電鑷子夾于耐高溫載玻片上。

步驟1中所述防靜電鑷子，可以防止芯片在轉移過程中受到靜電污染；所述耐高溫載玻片，可以在330℃以上的加熱臺上使用。

進一步，步驟2中所訴芯片加熱處理的具體實現如下：將溫度可控的加熱臺溫度調整為280℃-330℃進行預熱，再將帶有芯片的載玻片放置于加熱臺上加熱10-30s。

步驟2中所述加熱溫度、時間為本發明篩選方法最佳參數，但不局限于此溫度、時間范圍。

進一步，步驟3中所述顯微鏡下進行不良檢測的具體實現如下：在顯微鏡觀察下，將芯片后端面鍍膜出現鍍膜氣泡、起皮、鍍膜脫落、鍍膜面圓斑現象的芯片判斷為不良芯片。

步驟3中所述不良檢測顯微鏡，無特定限制，能觀察到所述芯片后端面鍍膜不良現象的所有顯微鏡，都適用于本篩選方法。

本發明的有益效果是：通過本發明的芯片篩選方法，可以將污染或清潔工作處理不當引起的不良芯片篩選剔除，有利于減少芯片后續工藝中的材料浪費，提高芯片良品率和生產效率。

附圖說明

圖1為本發明所述一種不良芯片篩選方法流程圖。

具體實施方式

一種不良芯片篩選方法，

如圖1所示，方法步驟如下:

步驟1:將共晶之前的芯片放置于載玻片上；

步驟2：將放置有芯片的載玻片放置在溫度為280℃-330℃加熱臺上進行10-30s加熱處理；

步驟3：待加熱處理完畢，將帶有芯片的載玻片放置于顯微鏡下進行不良檢測；

步驟4：根據步驟3檢測結果，不合格芯片被篩選剔除，合格芯片進行后續工藝生產。

步驟1中所述芯片放置于載玻片上的具體實現如下:將共晶處理之前的芯片，通過防靜電鑷子夾于耐高溫載玻片上。

步驟1中所述防靜電鑷子，可以防止芯片在轉移過程中受到靜電污染；所述耐高溫載玻片，可以在較高溫度的加熱臺上使用，例如330℃以上的溫度。

步驟2中所訴芯片加熱處理的具體實現如下：將溫度可控的加熱臺溫度調整為280℃-330℃進行預熱，再將帶有芯片的載玻片放置于加熱臺上加熱10-30s。

步驟2中所述加熱溫度、時間為本發明篩選方法最佳參數，但不局限于此溫度、時間范圍。

步驟3中所述顯微鏡下進行不良檢測的具體實現如下：在顯微鏡觀察下，將芯片后端面鍍膜出現鍍膜氣泡、起皮、鍍膜脫落、鍍膜面圓斑現象的芯片判斷為不良芯片。

步驟3中所述不良檢測顯微鏡，無特定限制，能觀察到所述芯片后端面鍍膜不良現象的所有顯微鏡，都適用于本篩選方法。

以上所述僅為本發明的較佳實施例，并不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。