[發(fā)明專利]一種線切碎硅片雜質(zhì)的處理方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310381931.6 | 申請(qǐng)日： | 2013-08-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103406344A | 公開（公告）日： | 2013-11-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 顏玉峰;張冰蕾;付振東;張玉亮;劉存國(guó);閆廣寧;李永峰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 河北寧晉松宮半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào)： | B09B3/00 | 分類號(hào)： | B09B3/00 |
| 代理公司： | 河北東尚律師事務(wù)所 13124 | 代理人： | 王文慶 |
| 地址： | 055550 河*** | 國(guó)省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 切碎 硅片 雜質(zhì) 處理 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種碎硅片處理技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種線切碎硅片雜質(zhì)的處理方法。
背景技術(shù)
在方棒的切片過程中，會(huì)產(chǎn)生一些碎片，這些碎片粘有大量的砂漿和AB膠，且表面被金屬雜質(zhì)污染，并混有生產(chǎn)過程中的一些異物，通常這些碎片都當(dāng)垃圾進(jìn)行處理，造成浪費(fèi)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種線切碎硅片雜質(zhì)的處理方法。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所采取的技術(shù)方案是：一種線切碎硅片雜質(zhì)的處理方法，包括以下步驟：
S1、用馬弗爐對(duì)碎硅片烘烤1～2小時(shí)，設(shè)定烘烤溫度為550～800度；
S2、烘烤完成后，快速將高溫的碎硅片取出并用自來水反復(fù)沖洗；
S3、沖洗完成后，用濃度10～30%的氫氧化鈉堿液清洗碎硅片，清洗過程中不斷攪拌，時(shí)間控制在10～30分鐘；清洗完成后，用純水反復(fù)沖洗碎硅片，直至PH試紙測(cè)試PH<9為止；
S4、將堿液清洗后的碎硅片放入酸液中浸泡24小時(shí)，酸液配比為：HCL：HF：H2O=1：1：（1～2）；浸泡完成后，用純水沖洗碎硅片，直至PH試紙測(cè)試PH>6為止；
S5、將酸液清洗后的碎硅片放入超聲波清洗器中進(jìn)行超聲波清洗，時(shí)間保持20分鐘；從超聲波清洗器中取出碎硅片，用烘箱烘烤20～40小時(shí)，烘箱溫度設(shè)定為100～120度。
其中，所述步驟S1中，用馬弗爐對(duì)碎硅片烘烤前，對(duì)碎硅片進(jìn)行人工分檢。
其中，所述步驟S1中，設(shè)定烘烤溫度為650度。
其中，所述步驟S5中，用烘箱烘烤碎硅片32小時(shí)。
采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于：
本發(fā)明用于線切碎硅片雜質(zhì)的處理，通過人工分揀、馬弗爐高溫烘烤，然后再進(jìn)行堿液清洗和酸液浸泡等一系列處理方法，最終將碎硅片表面粘連的異物、砂漿、AB膠及其它金屬雜質(zhì)等徹底去除，砂漿碎硅片處理成能夠正常使用的原材料。本發(fā)明易于操作，實(shí)現(xiàn)了廢硅料的再利用，大大減少了硅材料的浪費(fèi)，有效降低原材料成本。
附圖說明
圖1是本發(fā)明的處理流程圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
如圖1所示，本發(fā)明線切碎硅片雜質(zhì)的處理方法包括以下步驟：
S1、對(duì)碎硅片進(jìn)行人工進(jìn)行分檢，以去除碎硅片中混雜的可見異物雜質(zhì)。
S2、分檢后，用馬弗爐對(duì)碎硅片烘烤1～2小時(shí)，以去除膠及硅料表面可燃雜質(zhì)，設(shè)定烘烤溫度為550～800度，優(yōu)選為650度。
S3、烘烤完成后，快速將高溫的碎硅片取出并用自來水反復(fù)沖洗，將附著在碎硅片表面上的雜質(zhì)進(jìn)行沖洗，然后將碎硅片在水中浸泡。
S4、取出浸泡在水中的碎硅片，放入堿液中進(jìn)行清洗，以去除碎硅片表皮雜質(zhì)；采用的堿液為濃度10～30%的氫氧化鈉溶液，時(shí)間控制在10～30分鐘；清洗過程中不斷攪拌；堿液清洗完成后，用純水反復(fù)沖洗碎硅片，直至PH試紙測(cè)試PH<9為止。
S5、堿液清洗完成后，將碎硅片放入事先配好的酸液中，浸泡并攪拌，以去除碎硅片表皮的金屬雜質(zhì)；酸液配比為：HCL：HF：H2O=1:1:（1～2），浸泡24小時(shí)；酸液浸泡完成后，用純水沖洗碎硅片，直至PH試紙測(cè)試PH>6為止。
S6、將酸液清洗后的碎硅片放入超聲波清洗器中進(jìn)行超聲波清洗，進(jìn)一步去除碎硅片表面殘留的雜質(zhì)，時(shí)間保持20分鐘。
S7、從超聲波清洗器取出碎硅片，裝盤并放入烘箱，烘箱溫度設(shè)定為100～120度，烘烤20～40小時(shí)后取出，優(yōu)選32小時(shí)，以恰好烘干碎硅片表面殘留水分為宜。
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