[發明專利]一種線切碎硅片雜質的處理方法有效
| 申請號： | 201310381931.6 | 申請日： | 2013-08-28 |
| 公開（公告）號： | CN103406344A | 公開（公告）日： | 2013-11-27 |
| 發明（設計）人： | 顏玉峰;張冰蕾;付振東;張玉亮;劉存國;閆廣寧;李永峰 | 申請（專利權）人： | 河北寧晉松宮半導體有限公司 |
| 主分類號： | B09B3/00 | 分類號： | B09B3/00 |
| 代理公司： | 河北東尚律師事務所 13124 | 代理人： | 王文慶 |
| 地址： | 055550 河*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 切碎 硅片 雜質 處理 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種線切碎硅片雜質的處理方法，其特征在于：所述方法包括以下步驟：
S1、用馬弗爐對碎硅片烘烤1～2小時，設定烘烤溫度為550～800度；
S2、烘烤完成后，快速將高溫的碎硅片取出并用自來水反復沖洗；
S3、沖洗完成后，用濃度10～30%的氫氧化鈉堿液清洗碎硅片，清洗過程中不斷攪拌，時間控制在10～30分鐘；清洗完成后，用純水反復沖洗碎硅片，直至PH試紙測試PH<9為止；
S4、將堿液清洗后的碎硅片放入酸液中浸泡24小時，酸液配比為：HCL：HF：H2O=1：1：1～2；浸泡完成后，用純水沖洗碎硅片，直至PH試紙測試PH>6為止；
S5、將酸液清洗后的碎硅片放入超聲波清洗器中進行超聲波清洗，時間保持20分鐘；從超聲波清洗器中取出碎硅片，用烘箱烘烤20～40小時，烘箱溫度設定為100～120度。
2.根據權利要求1所述的一種線切碎硅片雜質的處理方法，其特征在于：所述步驟S1中，用馬弗爐對碎硅片烘烤前，對碎硅片進行人工分檢。
3.根據權利要求1所述的一種線切碎硅片雜質的處理方法，其特征在于：所述步驟S1中，設定烘烤溫度為650度。
4.根據權利要求1所述的一種線切碎硅片雜質的處理方法，其特征在于：所述步驟S5中，用烘箱烘烤碎硅片32小時。
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