[發明專利]晶體管電橋無效
| 申請號: | 201310379556.1 | 申請日: | 2013-08-20 |
| 公開(公告)號: | CN103441748A | 公開(公告)日: | 2013-12-11 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 馬東林 |
| 主分類號: | H03K3/02 | 分類號: | H03K3/02 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 610045 四川省*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶體管 電橋 | ||
技術領域
本發明屬于電子電路技術領域。
背景技術
在無源驅動電路中,需要一種方波振蕩電路,能穩定的振蕩同時又具有一定的驅動能力,推動電荷泵正常工作,以方便從MOSFET的漏極或晶體三極管的集電極獲得足夠的驅動電流電壓,完成無源驅動要求。目前獲得方波的方法有以比較器振蕩、門電路振蕩、單片機給出等,這些方式對無源驅動電路都太復雜。對一個簡單的驅動電路來說,振蕩電路越復雜會造成整個無源驅動電路復雜,使無源驅動電路缺乏適用性。
發明內容
如附圖1。它是由4只三極管和3個電阻組成的晶體管觸發式電橋(簡稱晶體管電橋)。A點是電橋的輸入端,B點是電橋的輸出端。設R1=R2,則B點電壓為Ui的一半。在A、B兩點,Q3、Q4的基極-射極以反向電流方式并聯在一起,當電橋的A點與B點的壓差超過一個PN結導通電壓時,就會有一個導通,并且只會有一只導通,因為它們的導通電流是反向的。比如輸入端Pi接GND電壓時,A點低于B點電壓,Q3導通,Q4的基極-射極電壓就是Q3的導通電壓,但是一個負壓,這個負壓確保Q4的可靠截止且不會被反向擊穿。Q3有一個基極-射極導通電流,引起Q3集電極-射極導通電流,Q3集電極電流流經Q1基極-射極,使Q1導通,Q1就會有射極-集電極電流,由于Q2是不導通的,Q1的集電極電流就會流過Q3的基極-射極,形成Q3的基極-射極電流的疊加,這樣就形成了正反饋路徑,直到Q1、Q3都飽和,正反饋結束。觸發電阻R1被Q1短路,B點被Q1接在了Ui上,使輸出直接由Q1驅動。如果Pi接在了Ui上,Q3由于射極電流減小使集電極電流減小,使Q1基極電流減小,Q3、Q1的正反饋結構又使它們迅速翻轉到截止狀態,同時由于Q1的截止,使B點恢復到由電阻R1、R2決定的電壓即Ui電壓的一半。由于Pi接在Ui上,A點電壓高于B點電壓,使Q4、Q2組成的正反饋翻轉到飽和,電阻R2被Q2短路,B點被Q2接在了GND上,輸出由Q2驅動。
在B點翻轉到Ui或GND電壓的過程中,不會有Ui到GND短路的情況。因為任何時候都只會有Q1、Q3或Q2、Q4中的一組導通,或者兩組都不導通。當A點與B點的壓差不足一個PN結導通電壓時,Q3、Q4均不會導通,則Q1、Q2也不會導通。Po與Pi是反相的,電阻Ri只提供Q1或Q3最小基極飽和電流,電阻R1、R2只提供Q3、Q4的基極觸發電流。
附圖說明
圖1:晶體管電橋電路結構圖
圖2:由晶體管電橋構成的互補輸出振蕩器
圖3:晶體管電橋作為驅動MOSFET的驅動輸出級
圖4:由晶體管電橋構成的晶體三極管的無源驅動電路
具體實施方式
實施例一:構成相位差180°輸出的互補方波振蕩電路。
如圖2。它由振蕩器和反相器兩部分構成。R、C決定振蕩器的振蕩頻率,Q1、Q3構成的正反饋通過R對C充電,Q2、Q4構成的正反饋使C通過R放電。觸發電流電阻R1=R2、R4=R5,R3提供Q5、Q6最小基極飽和電流,振蕩電阻R的值由振蕩頻率決定。設UBE為晶體管基極-射極導通電壓。
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