[發明專利]磁電阻薄膜及其制作方法

有效

• 申請號: 201310371152.8
• 申請日: 2013-08-22
• 公開（公告）號: CN103427019A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 趙波;劉瑋蓀
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L43/12
• 分類號: H01L43/12;H01L43/08
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 高靜;駱蘇華

1.一種磁電阻薄膜的制作方法，其特征在于，包括：

在基底上形成絕緣材料層；

在所述絕緣材料層中形成溝槽；

在所述溝槽的底部、側壁以及所述絕緣材料層的表面形成第一阻擋層；

在所述第一阻擋層上形成第二阻擋層，所述第二阻擋層的厚度小于所述第一阻擋層的厚度；

在所述第二阻擋層上形成磁性材料層；

對所述磁性材料層進行退火處理，以形成所述磁電阻薄膜。

2.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于：

在形成第一阻擋層的步驟中，所述第一阻擋層的厚度在1600～2000埃的范圍內；

在形成第二阻擋層的步驟中，所述第二阻擋層的厚度在200～400埃的范圍內。

3.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用等離子體增強化學氣相沉積的方式形成所述第一阻擋層和所述第二阻擋層的至少其中之一。

4.如權利要求3所述的制作方法，其特征在于，等離子體增強化學氣相沉積的沉積氣壓在2.47～2.73托的范圍內，溫度保持在361～399攝氏度的范圍內。

5.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成所述第一阻擋層的步驟之后，形成第二阻擋層的步驟之前，所述制作方法還包括：對位于所述絕緣材料層表面的所述第一阻擋層進行化學機械拋光處理。

6.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一阻擋層和所述第二阻擋層均采用氮化硅材料。

7.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成磁性材料層的步驟包括：依次在所述第二阻擋層上形成鎳鐵層以及氮化鈦層。

8.如權利要求7所述的制作方法，其特征在于，在形成磁性材料層的步驟中，所述鎳鐵層的厚度在100～300埃的范圍內，所述氮化鈦層的厚度在500～900埃的范圍內。

9.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成磁性材料層的步驟包括，通過物理氣相沉積的方式形成所述磁性材料層，其中沉積氣壓在4～6毫托的范圍內。

10.一種磁電阻薄膜，其特征在于，包括：

絕緣材料層，所述絕緣材料層中設有溝槽；

設置在所述溝槽底部、側壁以及絕緣材料層表面上的第一阻擋層；

設置在所述第一阻擋層上的第二阻擋層，所述第二阻擋層的厚度小于所述第一阻擋層的厚度；

磁性材料層，設置于所述第二阻擋層上。