[發(fā)明專利]三維半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310370209.2
• 申請日: 2013-08-22
• 公開（公告）號: CN103633043B
• 公開（公告）日: 2018-04-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 殷東錫;李寧浩;李俊熙;李錫元;申有哲
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11286
• 代理人: 劉燦強,韓芳

1.一種三維半導(dǎo)體裝置，所述三維半導(dǎo)體裝置包括具有順序地堆疊在基板上的多個電極的電極結(jié)構(gòu)，

其中，每個電極包括：

連接部，相對于設(shè)置有這樣的側(cè)壁的平面向外水平地突出，其中，所述側(cè)壁為所述多個電極中的位于該連接部上方的一個電極的側(cè)壁；以及

對齊部，具有與所述多個電極中的位于該對齊部上的一個電極的側(cè)壁或者所述多個電極中的位于該對齊部下面的另一電極的側(cè)壁共面的側(cè)壁，

其中，所述多個電極中的豎直相鄰的至少兩個電極具有共面的側(cè)壁，

其中，電極結(jié)構(gòu)包括至少一個第一組和至少一個第二組，所述至少一個第一組和所述至少一個第二組中的每個組包括所述多個電極中的一個或更多個電極，

其中，所述至少一個第一組的電極的連接部位于電極結(jié)構(gòu)的左側(cè)和右側(cè)中的一側(cè)，所述至少一個第一組的對齊部位于電極結(jié)構(gòu)的左側(cè)和右側(cè)中的另一側(cè)，并且

所述至少一個第二組的電極的連接部位于電極結(jié)構(gòu)的左側(cè)和右側(cè)中的所述另一側(cè)，所述至少一個第二組的對齊部位于電極結(jié)構(gòu)的左側(cè)和右側(cè)中的所述一側(cè)，

其中，所述至少一個第一組包括所述多個電極中的偶數(shù)編號的電極，所述至少一個第二組包括所述多個電極中的奇數(shù)編號的電極。

2.一種三維半導(dǎo)體裝置，所述三維半導(dǎo)體裝置包括具有順序地堆疊在基板上的多個電極的電極結(jié)構(gòu)，

其中，每個電極包括：

連接部，相對于設(shè)置有這樣的側(cè)壁的平面向外水平地突出，其中，所述側(cè)壁為所述多個電極中的位于該連接部上方的一個電極的側(cè)壁；以及

對齊部，具有與所述多個電極中的位于該對齊部上的一個電極的側(cè)壁或者所述多個電極中的位于該對齊部下面的另一電極的側(cè)壁共面的側(cè)壁，

其中，所述多個電極中的豎直相鄰的至少兩個電極具有共面的側(cè)壁，

其中，電極結(jié)構(gòu)包括至少一個第一組和至少一個第二組，所述至少一個第一組和所述至少一個第二組中的每個組包括所述多個電極中的一個或更多個電極，

其中，所述至少一個第一組的電極的連接部位于電極結(jié)構(gòu)的左側(cè)和右側(cè)中的一側(cè)，所述至少一個第一組的對齊部位于電極結(jié)構(gòu)的左側(cè)和右側(cè)中的另一側(cè)，并且

所述至少一個第二組的電極的連接部位于電極結(jié)構(gòu)的左側(cè)和右側(cè)中的所述另一側(cè)，所述至少一個第二組的對齊部位于電極結(jié)構(gòu)的左側(cè)和右側(cè)中的所述一側(cè)，

其中，所述至少一個第一組包括所述多個電極中的第4n+1個電極和第4n+2個電極，所述至少一個第二組包括所述多個電極中的第4n+3個電極和第4n+4個電極，

其中，n為從零或者使得4n+4小于或等于電極的總堆疊數(shù)的這樣的自然數(shù)中選擇的至少一個。

3.如權(quán)利要求1或2所述的三維半導(dǎo)體裝置，其中，每個電極的連接部和對齊部位于相應(yīng)的電極的兩個相對端部。

4.如權(quán)利要求1或2所述的三維半導(dǎo)體裝置，其中，電極結(jié)構(gòu)包括第一區(qū)域、第二區(qū)域和插入在第一區(qū)域和第二區(qū)域之間的陣列區(qū)域，連接部和對齊部中的每一個位于第一區(qū)域和第二區(qū)域中的一個上。

5.如權(quán)利要求4所述的三維半導(dǎo)體裝置，所述三維半導(dǎo)體裝置還包括：

豎直圖案，豎直穿透電極結(jié)構(gòu)的陣列區(qū)域；以及

存儲元件，插入在豎直圖案和電極之間。

6.如權(quán)利要求5所述的三維半導(dǎo)體裝置，其中，存儲元件包括被構(gòu)造為能夠存儲電荷或呈現(xiàn)可變電阻性質(zhì)的材料或?qū)咏Y(jié)構(gòu)。

7.如權(quán)利要求1或2所述的三維半導(dǎo)體裝置，所述三維半導(dǎo)體裝置還包括水平分隔開且由與電極中的一個電極的材料相同的材料形成的至少一個虛設(shè)圖案。

8.如權(quán)利要求7所述的三維半導(dǎo)體裝置，其中，所述至少一個虛設(shè)圖案處于電浮動狀態(tài)。

9.如權(quán)利要求1或2所述的三維半導(dǎo)體裝置，所述三維半導(dǎo)體裝置還包括設(shè)置在電極結(jié)構(gòu)上的插塞，

其中，電極結(jié)構(gòu)包括：

主體部，包括所述多個電極中的電連接到插塞的電極；以及

虛設(shè)部，包括所述多個電極中的與插塞電分離的電極，

其中，虛擬部與主體部水平地分隔開。

10.如權(quán)利要求9所述的三維半導(dǎo)體裝置，其中，主體部包括至少一個主體側(cè)壁部，虛設(shè)部包括與主體側(cè)壁部面對的第一虛設(shè)側(cè)壁部，

其中，主體側(cè)壁部和第一虛設(shè)側(cè)壁部被設(shè)置為相對彼此鏡面對稱，主體側(cè)壁部和第一虛設(shè)側(cè)壁部中的每個具有階梯式部分。