[發明專利]一種智控磁能吸附富氧機有效
| 申請號: | 201310364441.5 | 申請日: | 2013-08-20 |
| 公開(公告)號: | CN103405990A | 公開(公告)日: | 2013-11-27 |
| 發明(設計)人: | 崔金福 | 申請(專利權)人: | 煙臺九州環保節能科技有限公司 |
| 主分類號: | B01D53/02 | 分類號: | B01D53/02;B01J19/12 |
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| 地址: | 264003 山*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 磁能 吸附 富氧機 | ||
技術領域
本發明涉及空氣分離設備技術領域,具體的說,是一種智控磁能吸附富氧機。
背景技術
現有的空氣分離設備,不是造價高就是耗能太高,如深冷分離法設備投入大,一般一套設備要幾千萬;分子篩吸附法耗能高,而膜法占地大,對環境要求高,使用壽命短等缺點。
發明內容
為了克服以上技術問題,本發明提供了一種造價低、耗能低的智控磁能吸附富氧機。
本發明采用如下的技術方案實現:一種智控磁能吸附富氧機,包括變頻供風機、函道式氣流均壓箱、磁能聚氧組、真空泵和PLC控制器,所述變頻供風機與函道式氣流均壓箱相連通,所述函道式氣流均壓箱內設有至少三組函道,每組函道周圍均設有磁能聚氧組,所述磁能聚氧組上均勻分布有磁梯度場凹槽;每組函道的入口處設有加熱裝置,每組函道出口處設有單組負壓平衡調節閥;每組函道都通過管道連接真空泵,所述函道與真空泵之間的管道上設有智能調節閥;所述變頻供風機、加熱裝置和智能調節閥都通過電路連接PLC控制器;
所述變頻供風機、函道式氣流均壓箱和真空泵均固定于同一水平底座上。
本發明產生的有益效果是,本發明克服了現有技術的不足,具有造價低、耗能低、占地小、對環境要求低、使用壽命長等優點,廣泛應用于各種富氧燃燒技術領域,節能環保效果明顯。
附圖說明
下面結合附圖和具體實施方式進行詳細說明:
如圖所示本發明結構示意圖
圖中,1、水平底座2、變頻供風機3、函道式氣流均壓箱4、磁能聚氧組5、PLC控制器6、智能調節閥7、真空泵8、單組負壓平衡調節閥
具體實施方式
如圖所示,一種智控磁能吸附富氧機,包括變頻供風機2、函道式氣流均壓箱3、磁能聚氧組4、真空泵7和PLC控制器5,所述變頻供風機2與函道式氣流均壓箱3相連通,所述函道式氣流均壓箱3內設有至少三組函道,每組函道周圍均設有磁能聚氧組4,所述磁能聚氧組4上均勻分布有磁梯度場凹槽;每組函道的入口處設有加熱裝置,每組函道出口處設有單組負壓平衡調節閥8;每組函道都通過管道連接真空泵7,所述函道與真空泵7之間的管道上設有智能調節閥6;所述變頻供風機2、加熱裝置和智能調節閥6都通過電路連接PLC控制器5;所述變頻供風機2、函道式氣流均壓箱3和真空泵7均固定于同一水平底座1上。
本發明實現富氧制取過程中各部分結構的作用如下:
變頻供風機2根據用風要求,供入合理的風量,形成壓力吹入函道式氣流均壓箱3,連接配合PLC控制器5的智能控制可實現變頻省電;
函道式氣流均壓箱3把變頻供風機2吹入空氣渦流后形成均壓氣壓流,進入多組函道內均勻輸出,使氣流平衡分配;
磁能聚氧組4把函道式氣流均壓箱3均流后順函道壓出氣流中的順磁性氧分子吸引到自身的磁梯度場凹槽中;而具有逆磁性的氮原子不受磁場干擾,順利被后面的空氣推出函道排走;被吸引留在磁梯度場凹槽內的氧分子被加熱裝置加熱活躍,等待被吸附脫離磁場;
PLC控制器5主要作用為控制所有智能化設定點,如變頻供風機2、加熱裝置及智能調節閥6等,從而完成智能化操作過程。
智能調節閥6受PLC控制器5控制,自動調節磁能吸附富氧機總吸附管路的吸附負壓力,以免吸附負壓過大,吸力超出磁梯度場范圍,從而擾亂氧濃度比例。
真空泵7吸附聚集在磁梯度場凹槽中的富氧空氣,形成壓力輸出,其所需吸附力為0.075Mpa,排出壓力為39.4Kpa;輸出富氧空氣為30%±2,比正常空氣增加8%-10%個氧點;輸出富氧空氣可直接應用于富氧燃燒技術;
單組負壓平衡調節閥8用于調節磁能吸附富氧機多組函道的吸附平衡用,以保證吸附范圍均勻。
本發明采用物理原理及分子的磁化性能設計而成,具體工作原理為首先將原料空氣通過變頻供風機2強壓入函道式氣流均壓箱3內,使氣體分配平均,再由多組函道均勻的推流出去;經過磁能聚氧組4時,磁能聚氧組4將順磁性氧分子吸引,聚集在梯度磁場凹槽里,然后通過加熱裝置加熱使氧分子加熱活躍;再由真空泵7吸出形成富氧空氣;而逆磁性氮分子會被后面空氣的推力順利推出函道磁化區;同時配套PLC控制器5根據設定數據工作,整體完成智能化調節過程。
所述加熱裝置可以為加熱棒。
本發明不局限于上述實施方式,任何人應得知在本發明的啟示下作出的結構變化,凡是與本發明具有相同或相近的技術方案,均落入本發明的保護范圍之內。
本發明未詳細描述的技術、形狀、構造部分均為公知技術。
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