[發明專利]圖像傳感器件及方法在審
| 申請號： | 201310362353.1 | 申請日： | 2013-08-19 |
| 公開（公告）號： | CN104051477A | 公開（公告）日： | 2014-09-17 |
| 發明（設計）人： | 戴志和;江柏融;蘇柏菖;陳啟峰;林榮義 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孫征 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 圖像傳感器 方法 | ||
1.一種半導體器件，包括：
像素，包括襯底和所述襯底內的光電二極管；
第一光學阻擋層，位于所述襯底上方；
第二光學阻擋層，位于所述第一光學阻擋層上方，所述第二光學阻擋層與所述第一光學阻擋層分隔開；以及
開口，穿過所述第一光學阻擋層和所述第二光學阻擋層以允許光照射到所述光電二極管上。
2.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括粘合層，位于所述第一光學阻擋層和所述第二光學阻擋層之間。
3.根據權利要求2所述的半導體器件，進一步包括第二粘合層，位于所述第一光學阻擋層和所述襯底之間。
4.根據權利要求3所述的半導體器件，進一步包括第三粘合層，位于所述第二光學阻擋層上方。
5.一種半導體器件，包括：
位于襯底上方的光阻擋層，其中，所述光阻擋層包括光學阻擋層和粘合層的重復圖案；以及，
穿過所述光阻擋層的開口，所述開口露出位于所述襯底內的光電二極管上方的所述襯底。
6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中，所述重復圖案具有第一光學阻擋層和第二光學阻擋層。
7.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：
在襯底上方形成阻擋層，其中，形成所述阻擋層進一步包括：
在所述襯底上方形成光學阻擋層；以及
在所述光學阻擋層上方形成粘合層；
重復阻擋層的形成一次或多次以形成阻擋區域；
去除所述阻擋區域的一部分以露出位于所述襯底內的光電二極管上方的襯底。
8.根據權利要求7所述的方法，其中，重復所述阻擋層的形成包括重復阻擋層的形成一次。
9.根據權利要求7所述的方法，其中，重復所述阻擋層的形成包括重復阻擋層的形成兩次。
10.根據權利要求7所述的方法，進一步包括：在形成所述阻擋層之前，在所述襯底的上方形成鈍化層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
