[發明專利]硅鋁合金熔體的變質劑及利用該變質劑的硅鋁合金制備方法

有效

• 申請號: 201310355853.2
• 申請日: 2013-08-15
• 公開（公告）號: CN103436753A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發明（設計）人: 陳偉;章國偉;辛海鷹;陳剛;翟景;馬力;郭安振
• 申請（專利權）人: 中國兵器工業第五二研究所
• 主分類號: C22C21/04
• 分類號: C22C21/04
• 代理公司: 寧波誠源專利事務所有限公司 33102
• 代理人: 袁忠衛;景豐強

1.一種硅鋁合金熔體的變質劑，其特征在于包括由如下組分及其重量配比組成：

Na₂SO₄?8～12；

NaCl?8～12；

K₂ZrF₆?16～24；

Na₃PO₄?48～72。

2.根據權利要求1所述的硅鋁合金熔體的變質劑，其特征在于包括由如下組分及其重量配比組成：

Na₂SO₄?10%；

NaCl?10%；

K₂ZrF₆?20%；

Na₃PO₄?60%。

3.一種利用權利要求1或2所述變質劑的硅鋁合金制備方法，其特征在于包括如下步驟：

①將鋁錠放入中頻感應爐中，加入工業硅，通電直至原材料溶化成熔體；

②將熔體升溫至1100℃～1450℃，斷電靜置熔體并充分攪拌；

③待熔體溫度降至1000℃～1300℃時，將事先配好的按熔體重量百分比為0.5～0.7%的變質劑用壓入熔體中，直至變質劑變質結束；

④靜置10min后，采用C2Cl6和配好的精煉劑對硅鋁熔體進行除氣精煉，結束后對熔體進行扒渣；

⑤將熔體溫度升至1150℃-1450℃，采用噴射沉積法將熔體制備成坯錠；

⑥將制成的坯錠車皮去端面后，進行熱等靜壓處理，熱等靜壓溫度和壓力分別為520℃～550℃和100MPa～140MPa，保溫保壓1.5～3h后隨爐冷卻，即得到硅鋁合金。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于步驟⑤中所述的噴射沉積法的工藝參數如下:霧化壓力0.6～0.8MPa；霧化溫度1150℃～1450℃；霧化氣體為氮氣；沉積距離為680～710mm。

5.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于步驟⑥所述的硅鋁合金含變質硅重量百分比為40%～70%。