[發明專利]像素結構

有效

• 申請號: 201310353862.8
• 申請日: 2013-08-13
• 公開（公告）號: CN103915042A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: 江明盛;王志誠
• 申請（專利權）人: 元太科技工業股份有限公司
• 主分類號: G09F9/30
• 分類號: G09F9/30
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種像素結構，其特征在于其包括：

可撓性基板；

主動元件，配置于該可撓性基板上；

像素電極，配置于該可撓性基板上，并且電性連接于該主動元件，其中該像素電極具有多個像素電極開口；

電容電極，配置于該可撓性基板上，重疊于該像素電極并且該電容電極具有多個電容電極開口，對應于所述多個像素電極開口；

第一絕緣層，配置于該像素電極與該可撓性基板之間；

第二絕緣層，配置于該像素電極與該電容電極之間，且該主動元件設置于該第二絕緣層與該可撓性基板之間；以及

墊高結構，配置于該可撓性基板上，該墊高結構包括多個墊高柱以及墊高圖案，該墊高圖案覆蓋于該主動元件上而所述多個墊高柱分別位于所述多個像素電極開口中，其中該像素電極部分地覆蓋于該墊高圖案上而暴露出所述多個墊高柱。

2.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于其更包括輔助電極，配置于該可撓性基板與該像素電極之間，并且電性連接該像素電極，其中該輔助電極具有多個輔助電極開口，對應于所述多個像素電極開口以及所述多個電容電極開口。

3.如權利要求2所述的像素結構，其特征在于其中該電容電極位于該輔助電極與該像素電極之間，且該第一絕緣層位于該輔助電極與該電容電極之間。

4.如權利要求3所述的像素結構，其特征在于其中該第一絕緣層具有第一接觸窗，該第二絕緣層具有第二接觸窗，該第一接觸窗對應于該第二接觸窗，且該像素電極通過該第一接觸窗與該第二接觸窗連接至該輔助電極。

5.如權利要求2所述的像素結構，其特征在于其中該輔助電極位于該電容電極與該像素電極之間，且該第一絕緣層位于該輔助電極與該電容電極之間。

6.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于其中該第二絕緣層具有接觸窗，使該像素電極通過該接觸窗電性連接該主動元件。

7.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于其中該第一絕緣層與該第二絕緣層位于所述多個墊高柱與該可撓性基板之間。

8.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于其中該墊高圖案環繞該像素電極。

9.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于其中該主動元件包括柵極、通道層、源極與漏極，該通道層電性絕緣于該柵極，該源極與該漏極連接于該通道層，該柵極連接至掃描線，該源極連接至數據線而該漏極連接至該像素電極。

10.如權利要求9所述的像素結構，其特征在于其中該源極、該漏極與該電容電極都設置于該第一絕緣層與該第二絕緣層之間。

11.如權利要求9所述的像素結構，其特征在于其中該柵極設置于該第一絕緣層與該可撓性基板之間。

12.如權利要求9所述的像素結構，其特征在于其中該電容電極位于該第一絕緣層與該可撓性基板之間。