[發明專利]半導體器件及RFID有效
| 申請號： | 201310349668.2 | 申請日： | 2007-04-27 |
| 公開（公告）號： | CN103400843B | 公開（公告）日： | 2016-11-02 |
| 發明（設計）人： | 磯部敦生;高野圭恵;荒井康行;寺澤郁子 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | H01L27/115 | 分類號： | H01L27/115;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 劉多益 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 rfid | ||
1.一種半導體器件，包括：
形成在襯底上的半導體膜，
形成在半導體膜上的第一絕緣膜，
形成在第一絕緣膜上的電荷累積層，
形成在電荷累積層上的第三絕緣膜，和
形成在第三絕緣膜上的導電膜，
其中，半導體膜包括包含In、Ga和Zn的化合物半導體。
2.一種包括存儲電路的RFID，其中，存儲電路包括：
形成在襯底上的半導體膜，
形成在半導體膜上的第一絕緣膜，
形成在第一絕緣膜上的電荷累積層，
形成在電荷累積層上的第三絕緣膜，和
形成在第三絕緣膜上的導電膜，
其中，半導體膜包括包含In、Ga和Zn的化合物半導體。
3.一種半導體器件，包括：
形成在襯底上的半導體膜，
與半導體膜的頂面的第一部分接觸的第一絕緣膜，
與第一絕緣膜的頂面接觸的電荷累積層，
與半導體膜的側面接觸的第二絕緣膜，
形成在電荷累積層上的第三絕緣膜，
形成在第三絕緣膜上的導電膜，和
形成在第二絕緣膜和導電膜上的絕緣膜，該絕緣膜與半導體膜的頂面的第二部分接觸，
其中，半導體膜的端部的一部分與電荷累積層的端部的一部分共同延伸，并且
半導體膜包括包含In、Ga和Zn的化合物半導體。
4.如權利要求1或3所述的半導體器件，其特征在于，電荷累積層是在絕緣膜中具有捕捉電荷的缺陷的絕緣膜。
5.如權利要求2所述的RFID，其特征在于，電荷累積層是在絕緣膜中具有捕捉電荷的缺陷的絕緣膜。
6.如權利要求1或3所述的半導體器件，其特征在于，化合物半導體包含InGaZnO。
7.如權利要求2所述的RFID，其特征在于，化合物半導體包含InGaZnO。
8.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，InGaZnO為a-InGaZnO。
9.如權利要求7所述的RFID，其特征在于，InGaZnO為a-InGaZnO。
10.如權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，半導體膜的頂面和第二絕緣膜的頂面是同一平面的。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
