[發明專利]發光二極管及其制造方法

有效

• 申請號: 201310347702.2
• 申請日: 2013-08-12
• 公開（公告）號: CN104377274B
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發明（設計）人: 邱鏡學;林雅雯;凃博閔;黃世晟
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/22
• 代理公司: 深圳市鼎言知識產權代理有限公司44311
• 代理人: 徐麗昕

1.一種發光二極管制造方法，包括以下步驟：

提供一藍寶石基板，藍寶石基板的表面形成有多個凸出部；

在藍寶石基板的表面及凸出部生長一厚度均勻的未摻雜的低溫GaN層；

在所述未摻雜的低溫GaN層上生長未摻雜的高溫GaN層，所述未摻雜的高溫GaN層不完全覆蓋所述未摻雜的低溫GaN層，露出凸出部的頂部的未摻雜的低溫GaN層，且未摻雜的高溫GaN層頂面的高度大于位于凸出部的頂部的未摻雜的低溫GaN層頂面的高度；

在所述露出的凸出部的頂部的未摻雜的低溫GaN層上附著二氧化硅納米球；

在未摻雜的高溫GaN層上和凸出部的頂部的未摻雜的低溫GaN層上附著的二氧化硅納米球上繼續生長未摻雜的高溫GaN層直至覆蓋所述二氧化硅納米球；

在所述未摻雜的高溫GaN層上依次生長N型GaN層、活性層以及P型GaN層。

2.如權利要求1所述的發光二極管制造方法，其特征在于：所述二氧化硅納米球的直徑為100-300nm。

3.如權利要求1所述的發光二極管制造方法，其特征在于：所述“在所述露出的凸出部的頂部的未摻雜的低溫GaN層上附著二氧化硅納米球”進一步包括步驟：將所述二氧化硅納米球漂浮于密度大于二氧化硅的、有揮發性的有機溶劑中；將經過“在所述未摻雜的低溫GaN層上生長未摻雜的高溫GaN層，所述未摻雜的高溫GaN層不完全覆蓋所述未摻雜的低溫GaN層，露出凸出部的頂部的未摻雜的低溫GaN層”的步驟得到的半成品浸入以上漂浮有二氧化硅納米球的有機溶劑中，然后再撈出；待所述半成品表面的有機溶劑揮發完后，使得所述露出的凸出部的頂部附著有二氧化硅納米球。

4.一種發光二極管，包括：

藍寶石基板，藍寶石基板的表面形成有多個凸出部；

厚度均勻的未摻雜的低溫GaN層，覆蓋所述藍寶石基板的表面和凸出部；

未摻雜的高溫GaN層，覆蓋所述未摻雜的低溫GaN層，未摻雜的高溫GaN層頂面的高度大于位于凸出部上的未摻雜的低溫GaN層頂面的高度；

二氧化硅納米球，設置在凸出部上的未摻雜的低溫GaN層的頂面與未摻雜的高溫GaN層之間；以及

N型GaN層、活性層以及P型GaN層，依次生長在未摻雜的高溫GaN層上。

5.如權利要求4所述的發光二極管，其特征在于：所述二氧化硅納米球的直徑為100-300nm。