[發明專利]一種SiC/Co異質復合納米線的制備方法無效
| 申請號： | 201310344925.3 | 申請日： | 2013-08-08 |
| 公開（公告）號： | CN103397313A | 公開（公告）日： | 2013-11-20 |
| 發明（設計）人： | 王志江;楊宗嶼;矯金福;徐用軍;姜兆華 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱工業大學 |
| 主分類號： | C23C18/08 | 分類號： | C23C18/08 |
| 代理公司： | 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109 | 代理人： | 高會會 |
| 地址： | 150001 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 sic co 復合 納米 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種SiC/Co異質復合納米線的制備方法，其特征在于SiC/Co異質復合納米線的制備方法是按以下步驟制備的：
一、混合：首先將SiC納米線、含鈷化合物加入多元醇中，混勻后得到混合物；步驟一中所述的SiC納米線與含鈷化合物的質量比為1:(0.2～5)；步驟一中所述的SiC納米線的質量與多元醇的體積比為1mg:(0.1mL～3mL)；
二、回流反應：在惰性氣體保護下對混合物進行加熱，以加熱速率為3℃/min～10℃/min加熱至沸騰，并回流反應0.1h～2h，得到反應產物；
三、磁分離：首先反應產物冷卻至室溫，然后進行磁分離，對磁分離得到的固體采用去離子水洗2～5次，對洗滌后的固體進行干燥，干燥后即得到SiC/Co異質復合納米線。
2.根據權利要求1所述的一種SiC/Co異質復合納米線的制備方法，其特征在于步驟一中所述的含鈷化合物為乙酰丙酮鈷或醋酸鈷。
3.根據權利要求1所述的一種SiC/Co異質復合納米線的制備方法，其特征在于步驟一中所述的多元醇為二甘醇、三甘醇或四甘醇。
4.根據權利要求1所述的SiC/Co異質復合納米線的制備方法，其特征在于步驟二中惰性氣體為氮氣或氬氣。
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C23 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C18-00 通過液態化合物分解抑或覆層形成化合物溶液分解、且覆層中不留存表面材料反應產物的化學鍍覆
C23C18-02 .熱分解法
C23C18-14 .輻射分解法，例如光分解、粒子輻射
C23C18-16 .還原法或置換法，例如無電流鍍
C23C18-54 .接觸鍍，即無電流化學鍍
C23C18-18 ..待鍍材料的預處理
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