[發明專利]一種能夠在太陽能硅片上生成絕緣層的厚膜漿料

在審

• 申請號: 201310343887.X
• 申請日: 2013-08-06
• 公開（公告）號: CN103456388A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發明（設計）人: 柴良;馮紀偉;楊至灝
• 申請（專利權）人: 浙江光達電子科技有限公司
• 主分類號: H01B3/10
• 分類號: H01B3/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種能夠在太陽能硅片上生成絕緣層的厚膜漿料。

背景技術

目前太陽能硅片可根據摻雜的類型分為兩類：P型和N型。P型是摻雜外層電子比硅少一個電子的元素，如B和Al；N型是摻雜外層電子比硅多一個的元素，如P和As。P型硅太陽能電池是在P型硅片上擴散了一層N層(元素P)。防反射膜，如SiNx也鍍在N層的上面，從而形成電池片的前面。當前P型硅太陽能電池片上的背部金屬是由印刷的背部銀漿(形成電連接)和背面鋁漿(形成背面散射場)來形成。前銀、背銀、背鋁一起在700到900攝氏度共燒形成太陽能硅電池片。在共燒的過程中，鋁漿與硅片反應形成Al-Si合金層。這個合金層的形成可以提高電池片的轉化效率。

進來研究表明，在電池背面形成絕緣薄膜來代替Al-Si合金背散射場可以進一步提高電池的轉化效率。如，用原子層沉積法(ALD)，沉積10納米厚的三氧化二鋁絕緣層，再用化學氣相沉積法在其上沉積90納米厚的SiNx層，會比只有Al漿有更好的效率。SiNx是用來保護三氧化二鋁絕緣層的。因此急需一種能夠在太陽能硅片上生成絕緣層的厚膜漿料。

發明內容

為解決上述技術問題，本發明提供一種能夠在太陽能硅片上生成絕緣層的厚膜漿料，低成本，步驟簡單，能夠很容易的在硅片上形成三氧化二鋁絕緣層。

本發明的能夠在太陽能硅片上生成絕緣層的厚膜漿料，由包括以下重量百分比的原料制成：三氧化二鋁粉末40-90，玻璃粉0.1-10，無機添加劑0.1-10，有機載體9.8-50。

本發明的能夠在太陽能硅片上生成絕緣層的厚膜漿料，所述玻璃粉選自鉛-硼-硅酸鹽、鋅-硼-硅酸鹽、鉍-硼-硅酸鹽中的一種或多種。

本發明的能夠在太陽能硅片上生成絕緣層的厚膜漿料，所述無機添加劑選自Ca、Mg、Bi、Zn、Ag、Ta、Ti、Mn、Ru、Rh元素中的氧化物。

本發明的能夠在太陽能硅片上生成絕緣層的厚膜漿料，所述有機載體為高分子樹脂和有機溶劑的混合物，高分子樹脂與有機溶劑的質量比為(0.1-1)∶10。

本發明的能夠在太陽能硅片上生成絕緣層的厚膜漿料，所述高分子樹脂選自纖維素、PMA、松香樹脂中的一種或多種；有機溶劑選自松油醇、醇脂、脂肪醇、乙二醇中的一種或多種。

本發明的能夠在太陽能硅片上生成絕緣層的厚膜漿料，所述三氧化二鋁粉末為粒徑為0.1-10微米或0.001-0.1微米，或為二者的混合物。

與現有技術相比本發明的有益效果為：本發明的厚膜漿料能夠形成更穩定的絕緣層，漿料中的有機載體是在絲網印刷過程中用作載體，進而將漿料中的無機部分沉積在硅基板上，有機載體在后續的燒結工藝中被去除，形成三氧化二鋁，能夠提高電池片的轉化效率。

具體實施方式

下面結合實施例，對本發明的具體實施方式作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發明，但不用來限制本發明的范圍。

一種能夠在太陽能硅片上生成絕緣層的厚膜漿料，由包括以下重量百分比的原料制成：三氧化二鋁粉末40-90，玻璃粉0.1-10，無機添加劑0.1-10，有機載體9.8-50。

本發明的能夠在太陽能硅片上生成絕緣層的厚膜漿料，所述玻璃粉選自鉛-硼-硅酸鹽、鋅-硼-硅酸鹽、鉍-硼-硅酸鹽中的一種或多種。

本發明的能夠在太陽能硅片上生成絕緣層的厚膜漿料，所述無機添加劑選自Ca、Mg、Bi、Zn、Ag、Ta、Ti、Mn、Ru、Rh元素中的氧化物。

本發明的能夠在太陽能硅片上生成絕緣層的厚膜漿料，所述有機載體為高分子樹脂和有機溶劑的混合物，高分子樹脂與有機溶劑的質量比為(0.1-1)∶10。

本發明的能夠在太陽能硅片上生成絕緣層的厚膜漿料，所述高分子樹脂選自纖維素、PMA、松香樹脂中的一種或多種；有機溶劑選自松油醇、醇脂、脂肪醇、乙二醇中的一種或多種。

本發明的能夠在太陽能硅片上生成絕緣層的厚膜漿料，所述三氧化二鋁粉末為粒徑為0.1-10微米或0.001-0.1微米，或為二者的混合物。

本發明的厚膜漿料中三氧化二鋁粉末是三氧化二鋁漿料中的功能相，一種或多種三氧化二鋁粉末可以用來增加膜的密度。三氧化二鋁的顆粒大小的搭配也可以用于改善絕緣膜的密度。三氧化二鋁納米粉末一般來講可以用來實現密度大的膜。采用不同顆粒大小的玻璃粉也可以用來增加燒結的三氧化二鋁膜的密度。其他少量的無機添加劑也可加入，如無機氧化物。