[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置、半導(dǎo)體裝置的制造方法、半導(dǎo)體基板、和半導(dǎo)體基板的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310343762.7
• 申請(qǐng)日: 2009-11-27
• 公開（公告）號(hào): CN103474354A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 秦雅彥;福原升;山田永;高木信一;杉山正和;竹中充;安田哲二;宮田典幸;板谷太郎;石井裕之;大竹晃浩;奈良純
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 住友化學(xué)株式會(huì)社;國(guó)立大學(xué)法人東京大學(xué);獨(dú)立行政法人產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所;獨(dú)立行政法人物質(zhì)·材料研究機(jī)構(gòu)
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L21/28;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78;H01L29/786;H01L29/94
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 蔣亭

本申請(qǐng)是申請(qǐng)?zhí)枮榈姆职干暾?qǐng)，母案申請(qǐng)?zhí)枮?00980148632.X，申請(qǐng)日為2009年11月27日，發(fā)明名稱為半導(dǎo)體裝置、半導(dǎo)體裝置的制造方法、半導(dǎo)體基板、和半導(dǎo)體基板的制造方法。?

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置，半導(dǎo)體裝置的制造方法，半導(dǎo)體基板和半導(dǎo)體基板的制造方法。另外，本申請(qǐng)是2008年(平成20年)度經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省“關(guān)于戰(zhàn)略性技術(shù)開發(fā)委托費(fèi)(納米電子學(xué)半導(dǎo)體新材料·新構(gòu)造技術(shù)開發(fā)-其中新材料·新構(gòu)造納米電子設(shè)備<(4)III-V?MISFET/III-V-On-Insulator(III-V-OI)MISFET形成工藝技術(shù)的研究開發(fā)-其中集成化構(gòu)造的特性評(píng)價(jià)和設(shè)計(jì)因子的技術(shù)開發(fā)>的委托研究”，適用于產(chǎn)業(yè)技術(shù)力強(qiáng)化法第19條的專利申請(qǐng)。?

背景技術(shù)

近幾年，開發(fā)了在活性區(qū)域使用GaAs等的化合物半導(dǎo)體的各種高功能電子設(shè)備。比如，將化合物半導(dǎo)體用于溝道層的MIS型場(chǎng)效應(yīng)型晶體管(metal-Insulator-semiconductor?field-effect?transistor。以下，有時(shí)稱為MISFET。)，被期望適合作為高頻動(dòng)作及大功率動(dòng)作的開關(guān)設(shè)備。在將化合物半導(dǎo)體使用于溝道層的MISFET中，降低化合物半導(dǎo)體和絕緣性材料的界面上形成的界面能級(jí)變得重要。比如，非專利文獻(xiàn)1，明確公開了通過(guò)用硫化物處理化合物半導(dǎo)體表面，能降低由上述界面形成的界面能級(jí)的技術(shù)。?

【在先技術(shù)文獻(xiàn)】?

(非專利文獻(xiàn)1)S.Arabasz，et?al.著，Vac.80卷(2006年)，第888頁(yè)。?

【發(fā)明的概要】?

【發(fā)明打算解決的課題】?

如上所述，在化合物半導(dǎo)體MISFET的實(shí)用化中，以降低上述界面能級(jí)為課題已得到認(rèn)識(shí)。可是，給上述界面能級(jí)帶來(lái)影響的因子尚不明確。?

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述課題，在本發(fā)明的第1形態(tài)中，提供一種半導(dǎo)體裝置，具備：3-5族化合物半導(dǎo)體，其具有閃鋅礦型的結(jié)晶結(jié)構(gòu)；絕緣性材料，其接觸于所述3-5族化合物半導(dǎo)體的(111)面、與(111)面等效的面，或具有從(111)面或與(111)面等效的面傾斜的傾斜角的面；以及MIS型電極，其接觸于絕緣性材料且含有金屬傳導(dǎo)性材料。絕緣性材料，可以接觸于3-5族化合物半導(dǎo)體的(111)A面、與(111)A面等效的面、或具有從(111)A面或與(111)A面等效的面傾斜的傾斜角的面。半導(dǎo)體裝置，比如，還具有從由Si基板、SOI基板和GOI基板構(gòu)成的組中選擇的基體基板，3-5族化合物半導(dǎo)被配置于基體基板的一部分。?

半導(dǎo)體裝置，比如，還具有3-5族化合物半導(dǎo)體、絕緣性材料、MIS型電極、及，有與3-5族化合物半導(dǎo)體電連接的一對(duì)輸入輸出電極的MIS型場(chǎng)效應(yīng)型晶體管。MIS型場(chǎng)效應(yīng)型晶體管的溝道層可以包含In_zGa_1-zAs_z′Sb_1-z′(式中，0≤z≤1，0≤z′≤1)，或In_xGa_1-xAs_yP_1-y(式中，0≤x≤1，0≤y≤1)。?

絕緣性材料，比如，含從Al₂O₃、Ga₂O₃、La₂O₃、AlN、GaN、SiO₂、ZrO₂、HfO₂、Hf_xSi_1-xO_y(式中，0≤x≤1，1≤y≤2)、Hf_xAl_2-xO_y(式中，0≤x≤2，1≤y≤3)、Hf_x′Si_1-x′O_y′N_2-y′(式中，0≤x′≤1，1≤y′≤2)及Ga_2-x″Gd_x″O₃(式中，0≤x″≤2)構(gòu)成的組中選擇的至少1種，或，它們的層疊體。同時(shí)，絕緣性材料，比如包含：含Al并具有閃鋅礦型的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的3-5族化合物半導(dǎo)體，或，含Al并具有閃鋅礦型的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的3-5族化合物半導(dǎo)體的氧化物。金屬傳導(dǎo)性材料，比如，至少包含從TaC、TaN、TiN、Ti、Au、W、Pt及Pd構(gòu)成的組中選擇出的1種。?