[發明專利]一種野生甜櫻桃木組培快繁的方法

有效

• 申請號: 201310343341.4
• 申請日: 2013-08-08
• 公開（公告）號: CN103416308A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 馬建華;王小輝;朱曉菲;沈香蘭;吳佳川
• 申請（專利權）人: 巴中市光霧山植物研究所
• 主分類號: A01H4/00
• 分類號: A01H4/00
• 代理公司: 成都金英專利代理事務所(普通合伙) 51218
• 代理人: 袁英

技術領域

本發明涉及一種植物的培養方法，具體涉及一種野生甜櫻桃木組培快繁的方法。

背景技術

植物組織培養指用植物各部分組織，如形成層、薄壁組織、葉肉組織、胚乳等進行培養獲得再生植株，也指在培養過程中從各器官上產生愈傷組織的培養，愈傷組織再經過再分化形成再生植物。采用植物組織培養方法可以在短期內快速繁殖多種植物，不僅繁殖速率極高，且因為其是無性繁殖，可以保持原繁殖木株的優良形狀，近年來在生產上應用越來越廣。植物組織培養技術的原理是利用植物細胞的全能性，即組成植物體的每一個細胞都具有發育成為一個完整植株的潛在能力，采用植物體上的單個細胞、細胞團、分生組織或器官的一部分，通過人工配制不同營養成分和激素的培養基來培養并調控其發育，使這些細胞、組織等形成成千上萬個小植株并且保持了母本植株的全部的優良形狀，這種方法可以在短時間內獲得大量的組培苗，并能在人工控制條件的車間內一年四季進行，因而可以實現種苗繁殖的工廠化生產，可在較小的面積內進行大規模生產，因而無需占用大量土地。

四川省巴中市南江縣本地野生甜櫻桃（俗稱米櫻桃），由于此野生甜櫻桃汁多，果肉飽滿，味道純正，果味濃郁，芳香甘甜，具有優異的市場開發價值。但此種本地野生甜櫻桃多為山地野生，未經開發，繁殖方式多為自然的種子繁殖或扦插，傳統的繁殖方式不能滿足開發及生產之需要，并且多有退化現象，無法保持母本的優良性狀。

發明內容

本發明的目的即在于克服現有技術的不足，提供一種四川省巴中市南江縣本地野生甜櫻桃木組培快繁的方法，本發明采用組培繁殖的手段成功獲得本地甜櫻桃的無菌苗，為實現野生甜櫻桃規模工廠化生產提供了基礎材料。

本發明的目的是通過以下技術方案來實現的：一種野生甜櫻桃木組培快繁的方法，它包括以下步驟：?

S1.?切取外植體：于晴天中午或下午采集無病害的野生甜櫻桃的當年生枝條，去除多余葉片，切取帶芽莖段，于流水中沖洗5～10min后，吸干水分；

S2.?外植體滅菌：將沖洗后的外植體放入超凈工作臺，用濃度為70～75%的酒精消毒25～35s，用無菌水沖洗4～6次，再放入濃度為0.1～0.2%的升汞中滅菌3～8min，用無菌水沖洗4～6次，置于無菌紙上晾干；

S3.?誘導培養：將滅菌后的外植體接種于誘導培養基中進行培養，其中，誘導培養基為MS+6-BA?3.0mg/L+IAA?0.5mg/L+蔗糖30g/L+瓊脂10g/L，pH值為5.5～6.5，培養條件為：光照強度2000～3000LX，光照時間14～18h，溫度24～26℃，培養時間14～17d，經誘導培養，可誘導腋芽萌發；

S4.?繼代培養：將經誘導培養后已萌發的腋芽剪下，接種于繼代培養基中進行培養，其中，繼代培養基為MS+6-BA?2.0mg/L+IAA?0.5mg/L+蔗糖30g/L+瓊脂10g/L，pH值為5.5～6.5，培養條件為：光照強度2000～3000LX，光照時間14～18h，溫度24～26℃，培養時間27～32d，經繼代培養后，可誘導叢生芽產生；

S5.?生根培養：切割叢生芽，將叢生芽接種于生根培養基中進行培養，其中，生根培養基為1/2MS+NAA0.2mg/L+蔗糖30g/L+瓊脂10g/L，pH值為5.5～6.5，培養條件為：光照強度2000～3000LX，光照時間14～18h，溫度24～26℃，培養時間8～12d，經生根培養后，可誘導其生根；

S6.?煉苗移栽：將生長達8～12cm的生根組培苗從培養室取出，置于室外培養4～7d，洗掉組培苗上的培養基，保持溫度和濕度，分別為22～26℃、68～75%，移植于基質中；其中所述移植基質為腐殖土混合蛭石，混合比例為1～2:1。

本發明的有益效果是：本發明采用組培繁殖的手段成功獲得四川省巴中市南江縣本地野生甜櫻桃的無菌苗，并建立組培快繁體系，可在短時間內獲得大量無菌后代，既能保持母本原有的優良性狀，又能減少病蟲害的發生，為實現野生甜櫻桃規模工廠化生產提供了基礎材料；該方法具有簡便易行、程序簡單、工效高、成本低的特性。??

附圖說明

圖1為誘導培養后本地野生甜櫻桃的腋芽萌發示意圖；

圖2為繼代培養后本地野生甜櫻桃的叢生芽示意圖；

圖3為生根培養后本地野生甜櫻桃的生根苗示意圖；

圖4為生根培養后本地野生甜櫻桃根系示意圖。

具體實施方式

下面結合實施例對本發明做進一步的描述，本發明的保護范圍不局限于以下所述。