[發(fā)明專利]一種納米激光器激光合束器件的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310340691.5 | 申請日： | 2013-08-07 |
| 公開（公告）號： | CN103457157A | 公開（公告）日： | 2013-12-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 羅先剛;王彥欽;王長濤;趙澤宇;沈同圣;羅云飛;胡承剛;黃成;楊磊磊;潘思潔;崔建華;趙波 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院光電技術(shù)研究所 |
| 主分類號： | H01S5/20 | 分類號： | H01S5/20;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生專利代理有限責(zé)任公司 11251 | 代理人： | 楊學(xué)明;李新華 |
| 地址： | 610209 *** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 納米 激光器 激光 器件 制備 方法 | ||
1.一種納米激光器激光合束器件的制備方法，其特征在于：該方法包括以下步驟：
步驟（1）、在已制備得到的曲面溝槽上沉積多層膜，共沉積5-20組，每組由2層膜層組成，每層膜厚=15-30nm，所述多層膜總厚度為150-1200nm，其中Ag層和SiO2層交替沉積；
步驟（2）、在曲面多層膜上采用涂覆、固化的方法進(jìn)行平坦化，控制平坦化之后的平面高低起伏<10nm，表面粗糙度RMS<2nm；
步驟（3）、對步驟（2）中得到平坦化之后的結(jié)構(gòu)進(jìn)行多層膜減薄（刻蝕）工藝，通過控制離子束刻蝕機(jī)的束流大小、入射角度、氣體流量與基底溫度等工藝條件，使減薄之后的曲面多層膜的深度<50nm；
步驟（4）在步驟（3）中得到的減薄之后的曲面多層膜上涂布一層可固化的溶膠層，溶膠層在表面張力與重力的雙重作用下會在曲面多層膜里形成弧面結(jié)構(gòu)，經(jīng)加熱或紫外光照射處理后溶膠層固化，所述溶膠層的厚度為2nm至100nm；
步驟（5）在步驟（4）中得到的溶膠層上沉積一層金屬Ag膜層，所述金屬Ag膜層的厚度為2nm至100nm；
步驟（6）在步驟（5）中所沉積的金屬Ag層上交替涂覆固化溶膠層和沉積Ag膜層，得到溶膠層和Ag層交替組成的多層弧面膜層，即制備得到這種納米激光器激光合束器件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米激光器激光合束器件的制備方法，其特征在于：所述步驟（1）中所制備的曲面多層膜可以通過磁控濺射鍍膜、真空蒸發(fā)鍍膜、電子束蒸發(fā)鍍膜，也可以采用混合方式鍍膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米激光器激光合束器件的制備方法，其特征在于：所述步驟（2）中采用的平坦化材料可以為紫外光刻膠、壓印膠也可以為PMMA等聚合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米激光器激光合束器件的制備方法，其特征在于：所述步驟（3）中曲面多層膜的減薄工藝可以利用RIE、IBE或ICP來實現(xiàn)，，刻蝕所選氣體可以是SF6、CHF3或Ar。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米激光器激光合束器件的制備方法，其特征在于：所述步驟（4）中涂覆的溶膠層包括SOG或PMMA。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米激光器激光合束器件的制備方法，其特征在于：所述步驟（5）中沉積的金屬Ag膜可以利用真空蒸發(fā)沉積，也可以利用磁控濺射沉積。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米激光器激光合束器件的制備方法，其特征在于：所述步驟（6）中溶膠層與Ag層交替組成的多層弧面膜層的層數(shù)為1-20層。
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