[發明專利]一種形成膜層的方法和基板

有效

• 申請號: 201310339744.1
• 申請日: 2013-08-06
• 公開（公告）號: CN103439839A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發明（設計）人: 唐華;趙冉
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張天舒

技術領域

本發明屬于膜層制備技術領域，具體涉及一種形成膜層的方法和包括由所述形成膜層的方法制得的膜層的基板。

背景技術

氧化銦錫膜（ITO膜）具有優良的導電性和可見光透過率，是一種重要的透明導電膜，在光電器件中得到了廣泛應用，目前一般是采用磁控濺射技術來制備ITO膜。磁控濺射技術中，真空條件下實現等離子放電，利用電磁場控制帶電粒子的運動，轟擊靶材，靶材原子被撞飛，并附著在基板上，從而在基板上形成所需要的薄膜。

目前，TN(Twist?Nematic，扭曲向列)型液晶顯示裝置的彩膜基板上需要形成ITO膜作為公共電極，而通過磁控濺射技術制備的ITO膜存在著一些膜面不良和缺陷，例如，ITO膜易出現膜面小孔（pin?hole），膜面小孔的產生過程如圖1、圖2所示，在鍍膜時，若彩膜基板1上有異物21（例如灰塵、顆粒異物等），鍍膜后膜面就會形成一個凸起，在后續的清洗工序中，凸起被清洗掉落，那么ITO膜2就會產生一個膜面小孔22，膜面小孔22在成盒后會顯示為一個異常點，影響液晶顯示裝置的良率，因此顯然需要避免形成膜面小孔22?，F有的一種減少膜面小孔22產生的方法是在鍍膜前設置前清洗工序，且鍍膜前各設備密封并定期清潔，但顯然這種方法僅使得鍍膜前基板的異物減少，很難完全消除異物。另外，液晶顯示裝置中，公共電極需要加電壓以實現對像素單元的明暗控制，為了保證其能承受所需的電壓，因此對ITO膜的厚度有一定的要求，目前TN型液晶顯示裝置彩膜基板的ITO膜厚通常為150nm，在制作膜厚為150nm的ITO膜2時，鍍膜設備功率相應的為14.6kw（對應單件產品生產時間為35秒），而生產實際中，當鍍膜功率高于8～9kw時，靶材表面和彩膜基板ITO膜2形成小瘤（結節）的可能性急劇增加，ITO膜2的小瘤也會形成膜面小孔；同時靶材表面的小瘤易產生尖端放電，并影響鍍膜品質，使得由其鍍膜形成的ITO膜2膜面突起（不能清洗掉的突起部分，在修補工藝需要將其打磨），面電阻和透過率數值超標，也因為這些影響需要定期對靶材表面的小瘤進行打磨、清潔，需要停線處理，顯然會導致設備維護時間大量增加，稼動率降低（稼動率是指設備在所能提供的時間內為了創造價值而占用的時間所占的比重）。

利用其他工藝方法，如蒸鍍工藝、濺射工藝、化學氣相沉積工藝、噴涂工藝等，形成膜層時，也會出現由于異物導致的膜面不良，影響后續產品的性能。

發明內容

本發明所要解決的技術問題包括，針對現有的形成膜層的方法易出現膜層不良的問題，提供一種減少膜層不良、提升膜層品質的形成膜層的方法。

解決本發明技術問題所采用的技術方案是一種形成膜層的方法，包括：

在基板上形成第一層膜；

對所述第一層膜進行第一次清洗；

在所述第一層膜上形成第二層膜，所述第二層膜的材料與第一層膜的材料相同；

對所述第二層膜進行第二次清洗。

優選的是，形成第一層膜的厚度與形成第二層膜的厚度的比值范圍為0.5至2。

進一步優選的是，形成第一層膜的厚度與形成第二層膜的厚度相同。

優選的是，所述形成第一層膜采用蒸鍍工藝、濺射工藝、化學氣相沉積工藝、噴涂中的一種；

和/或

形成第二層膜采用蒸鍍工藝、濺射工藝、化學氣相沉積工藝、噴涂中的一種。

進一步優選的是，采用濺射工藝形成第一層膜和形成第二層膜控制設備功率，使濺射形成的第一層膜和第二層膜的小瘤的尺寸小于50微米。

優選的是，所述第一次清洗和所述第二次清洗包括純水沖洗和氣體沖洗，用于除去第一層膜和第二層膜上的異物和小瘤。

優選的是，所述第一層膜的材料和所述第二層膜的材料為金屬或金屬氧化物。

進一步優選的是，所述第一層膜的材料和所述第二層膜的材料為氧化銦錫。

本發明的形成膜層工藝分為兩次進行，并對每次形成的膜進行清洗，因此盡管兩次形成的膜都有可能會產生膜面不良，但是同一個位置兩次形成的膜均產生膜面不良的概率極低，即兩次形成的膜的膜層互相補償由單次形成的膜所產生的膜面不良，避免了膜面不良對整體膜層的影響，減少了因膜面不良問題導致的后續產品不良。

本發明所要解決的技術問題還包括，針對現有的形成膜層方法易出現膜層不良，導致基板品質不良的問題，提供一種品質良好的基板。

解決本發明技術問題所采用的技術方案是一種基板，包括：由上述的形成膜層的方法制得的膜層。

優選的是，所述基板為彩膜基板，所述膜層作為公共電極。