[發(fā)明專利]硒化/硫化處理裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310339544.6 | 申請(qǐng)日: | 2013-08-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103397305A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-11-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李朝暉;宋秋明;譚興;呂文博;顧光一;肖旭東 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳先進(jìn)技術(shù)研究院;香港中文大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C23C14/58 | 分類號(hào): | C23C14/58;H01L31/18 |
| 代理公司: | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 吳平 |
| 地址: | 518055 廣東省深圳*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 硒化 硫化 處理 裝置 | ||
1.一種硒化/硫化處理裝置,其特征在于,包括:
反應(yīng)爐,其內(nèi)部開(kāi)設(shè)有反應(yīng)腔;
樣片傳送機(jī)構(gòu),所述樣片傳送機(jī)構(gòu)用于放置并傳送沉積有前驅(qū)體的樣片,所述樣片位于所述反應(yīng)腔頂部;及
離子生成器,設(shè)置于所述反應(yīng)腔的底部,并與所述樣片相對(duì),所述離子生成器包括:
收容殼,其上開(kāi)設(shè)有收容槽,所述收容槽用于收容硒源或硫源;及
射頻天線,設(shè)置于所述收容殼外側(cè),所述射頻天線與外部射頻電源電連接,用于產(chǎn)生射頻電場(chǎng)以將硒源或硫源電離為硒離子或硫離子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硒化/硫化處理裝置,其特征在于,還包括第一網(wǎng)格電極及第二網(wǎng)格電極,所述第一網(wǎng)格電極及所述第二網(wǎng)格電極設(shè)置于所述樣片與所述離子生成器之間,所述第一網(wǎng)格電極與所述第二網(wǎng)格電極相互平行,且所述第一網(wǎng)格電極較所述第二網(wǎng)格電極更靠近所述離子生成器,所述第一網(wǎng)格電極及所述第二網(wǎng)格電極間產(chǎn)生由所述第二網(wǎng)格電極指向所述第一網(wǎng)格電極的電場(chǎng),所述硒離子或硫離子經(jīng)過(guò)所述電場(chǎng)加速后射向所述樣片。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硒化/硫化處理裝置,其特征在于,所述第一網(wǎng)格電極及所述第二網(wǎng)格電極的網(wǎng)格為圓形或多邊形結(jié)構(gòu),所述第一網(wǎng)格電極接地,所述第二網(wǎng)格電極與外部電源的正極電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硒化/硫化處理裝置,其特征在于,所述離子生成器還包括加熱機(jī)構(gòu),所述加熱機(jī)構(gòu)設(shè)置于所述收容殼外側(cè),并與所述射頻天線相獨(dú)立,所述加熱機(jī)構(gòu)用于對(duì)硒源或硫源進(jìn)行加熱。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硒化/硫化處理裝置,其特征在于,所述收容殼為一端開(kāi)口的盒體,所述射頻天線為平面螺旋狀結(jié)構(gòu),并設(shè)置于所述收容殼底部外側(cè),所述加熱機(jī)構(gòu)為環(huán)狀結(jié)構(gòu),并圍繞于所述收容殼周圍。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硒化/硫化處理裝置,其特征在于,所述收容殼為一端開(kāi)口的盒體,所述射頻天線為彈簧狀結(jié)構(gòu),并圍繞于所述收容殼周圍,所述加熱機(jī)構(gòu)設(shè)置于所述收容殼底部外側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硒化/硫化處理裝置,其特征在于,還包括進(jìn)氣管及抽真空管,所述進(jìn)氣管及所述抽真空管均與所述反應(yīng)腔相導(dǎo)通。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硒化/硫化處理裝置,其特征在于,所述樣片傳送機(jī)構(gòu)上還設(shè)有樣片加熱器。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硒化/硫化處理裝置,其特征在于,所述離子生成器為多個(gè),且多個(gè)所述離子生成器并列設(shè)置,所述樣片傳送機(jī)構(gòu)可滑動(dòng)地設(shè)置于所述反應(yīng)腔的腔壁上,并位于所述反應(yīng)腔的頂部。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硒化/硫化處理裝置,其特征在于,所述樣片傳送機(jī)構(gòu)包括放卷滾輪及收卷滾輪,所述放卷滾輪及所述收卷滾輪均設(shè)置于所述反應(yīng)爐外,所述樣片為柔性薄膜,所述柔性薄膜的兩端分別卷繞于所述放卷滾輪及所述收卷滾輪,并穿設(shè)所述反應(yīng)爐,所述放卷滾輪轉(zhuǎn)動(dòng)以將所述柔性薄膜傳送至所述收卷滾輪,所述收卷滾輪轉(zhuǎn)動(dòng)以使所述柔性薄膜卷繞于其外側(cè)。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





