[發(fā)明專利]MEMS傳聲器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310339367.1
• 申請(qǐng)日: 2008-03-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103399675A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-11-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: N.艾特曼;R.賴夫;N.克德姆
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 高通股份有限公司
• 主分類號(hào): G06F3/043
• 分類號(hào): G06F3/043
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 鄭冀之;湯春龍

1.一種MEMS傳聲器，包括：

殼體，具有基本上實(shí)心的正面和基本上實(shí)心的背面，和側(cè)面；

具有MEMS膜的底座，該底座安裝在正面的聲學(xué)端口的上方，MEMS膜背對(duì)正面；

底座內(nèi)部的空的空間，超聲波穿過(guò)該空的空間以到達(dá)MEMS膜，該空的空間的尺寸低于對(duì)于感興趣的超聲波在空氣中的波長(zhǎng)；以及

包含在背面的PCB盤，其用于將傳聲器安裝在接收器中。

2.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的MEMS傳聲器，其中該正面包括印刷電路板。

3.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的MEMS傳聲器，其中該背面包括印刷電路板。

4.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的MEMS傳聲器，其中該空的空間不會(huì)對(duì)感興趣的頻率形成共振腔。

5.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的MEMS傳聲器，進(jìn)一步包括安裝在所述正面的放大器。

6.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的MEMS傳聲器，其中所述正面基本上實(shí)心，除了聲學(xué)端口。

7.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的MEMS傳聲器，其中所述PCB盤包括位于所述背面的角的附近的四個(gè)PCB盤。

8.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的MEMS傳聲器，其中存在大于25kHz的第一頻率，在所述第一頻率，所述傳聲器的靈敏度大于-60dB，0dB的定義為1伏特/每帕斯卡。

9.根據(jù)權(quán)利要求9所述的MEMS傳聲器，其中所述第一頻率大于70kHz。

10.根據(jù)權(quán)利要求8-9中任一權(quán)利要求所述的MEMS傳聲器，其中所述第一頻率時(shí)的靈敏度大于-40dB。

11.根據(jù)權(quán)利要求8-10中任一權(quán)利要求所述的MEMS傳聲器，其中所述第一頻率時(shí)的靈敏度比20kHz時(shí)所述傳聲器的靈敏度低不到40dB。

12.根據(jù)權(quán)利要求8-11中任一權(quán)利要求所述的MEMS傳聲器，其中所述第一頻率時(shí)的靈敏度比在20kHz和所述第一頻率之間的頻率的靈敏度的最大值低不到40dB。

13.根據(jù)權(quán)利要求8-12中任一權(quán)利要求所述的MEMS傳聲器，其中在20kHz和所述第一頻率之間的某處，在至少40kHz內(nèi)，靈敏度變化不超過(guò)6dB。

14.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的MEMS傳聲器，其中對(duì)于大于20kHz的靈敏度在最靈敏頻率的40dB內(nèi)的操作頻率范圍，對(duì)于所述聲學(xué)端口前面的方向，所述傳聲器的方向靈敏度變化不超過(guò)30dB。

15.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的MEMS傳聲器，其中所述殼體包括平坦面，所述底座安裝在所述平坦面上，所述MEMS膜的中心在所述殼體的最大直徑的10％以內(nèi)與所述平坦面的中心對(duì)準(zhǔn)。

16.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的MEMS傳聲器，其最大尺寸小于7mm。

17.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的MEMS傳聲器，其中所述殼體不具有包括邊長(zhǎng)為2mm的立方體的內(nèi)部空體積。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的MEMS傳聲器，其中所述殼體不具有包括邊長(zhǎng)為1.5mm的立方體的內(nèi)部空體積。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的MEMS傳聲器，其中所述殼體不具有包括邊長(zhǎng)為1mm的立方體的內(nèi)部空體積。