[發明專利]有機發光顯示裝置在審
| 申請號: | 201310339243.3 | 申請日: | 2013-08-06 |
| 公開(公告)號: | CN103579293A | 公開(公告)日: | 2014-02-12 |
| 發明(設計)人: | 金基棲;崔大成 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 王占杰;李云霞 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示裝置 | ||
1.一種有機發光顯示裝置,所述有機發光顯示裝置包括:
基板;
發光二極管,包括:第一電極,設置在基板上;第二電極,面對第一電極;以及有機發光層,設置在第一電極和第二電極之間;以及
平衡電極,與發光二極管絕緣,以保持有機發光層中的空穴-電子的電荷平衡。
2.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,所述有機發光顯示裝置還包括設置在基板和發光二極管之間的絕緣層,其中,平衡電極設置在基板和絕緣層之間。
3.根據權利要求2所述的有機發光顯示裝置,其中,第一電極具有第一電位,第二電極具有與第一電位不同的第二電位,平衡電極具有與第一電位和第二電位不同的第三電位。
4.根據權利要求3所述的有機發光顯示裝置,其中,第三電位高于第二電位。
5.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,所述有機發光顯示裝置還包括設置在發光二極管上的絕緣層,其中,平衡電極設置在絕緣層上。
6.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其中,平衡電極包括從由氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋁鋅、鎵摻雜的氧化鋅、氧化鋅錫、氧化鎵錫和氟摻雜的氧化錫組成的組中選擇的至少一種材料。
7.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其中,平衡電極包括從由Mo、MoW、Cr、Al、AlNd和Al合金組成的組中選擇的至少一種材料。
8.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其中,平衡電極用于通過改變施加到平衡電極的電位而改變從第一電極注入到有機發光層中的空穴的量和從第二電極注入到有機發光層中的電子的量來保持有機發光層內的電子-空穴的電荷平衡。
9.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其中,平衡電極用于通過向平衡電極施加比向第二電極施加的電位高的電位而減少從第一電極注入到有機發光層中的空穴的量并增加從第二電極注入到有機發光層中的電子的量來保持有機發光層內的電子-空穴的電荷平衡。
10.一種有機發光顯示裝置,所述有機發光顯示裝置包括:
基板;以及
發光二極管,包括:第一電極層,設置在基板上;第二電極層,面對第一電極層;以及有機發光層,設置在第一電極層和第二電極層之間,
其中,第一電極層和第二電極層中的一個包括:電荷供應電極,向有機發光層供應電荷;以及平衡電極,與電荷供應電極隔開,以保持有機發光層內的空穴-電子的電荷平衡。
11.根據權利要求10所述的有機發光顯示裝置,其中,第一電極層和第二電極層中的所述一個還包括:絕緣層,以使平衡電極與電荷供應電極和有機發光層絕緣。
12.根據權利要求11所述的有機發光顯示裝置,其中,第一電極層包括電荷供應電極、平衡電極和絕緣層。
13.根據權利要求12所述的有機發光顯示裝置,其中,電荷供應電極具有第一電位,第二電極具有與第一電位不同的第二電位,平衡電極具有與第一電位和第二電位不同的第三電位。
14.根據權利要求13所述的有機發光顯示裝置,其中,第三電位高于第二電位。
15.根據權利要求11所述的有機發光顯示裝置,其中,第二電極層包括電荷供應電極、平衡電極和絕緣層。
16.根據權利要求10所述的有機發光顯示裝置,其中,平衡電極包括從由氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋁鋅、鎵摻雜的氧化鋅、氧化鋅錫、氧化鎵錫和氟摻雜的氧化錫組成的組中選擇的至少一種材料。
17.根據權利要求10所述的有機發光顯示裝置,其中,平衡電極包括從由Mo、MoW、Cr、Al、AlNd和Al合金組成的組中選擇的至少一種材料。
18.根據權利要求10所述的有機發光顯示裝置,其中,電荷供應電極和平衡電極設置在同一層上并包括相同的材料。
19.根據權利要求10所述的有機發光顯示裝置,其中,平衡電極用于通過改變施加到平衡電極的電位而改變從第一電極層注入到有機發光層中的空穴的量和從第二電極層注入到有機發光層中的電子的量來保持有機發光層內的電子-空穴的電荷平衡。
20.根據權利要求10所述的有機發光顯示裝置,其中,平衡電極用于通過向平衡電極施加比向第二電極層施加的電位高的電位而減少從第一電極層注入到有機發光層中的空穴的量并增加從第二電極層注入到有機發光層中的電子的量來保持有機發光層內的電子-空穴的電荷平衡。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





