[發明專利]用于沉積工藝的反應腔室及其中托盤溫度的調節方法

無效

• 申請號: 201310337832.8
• 申請日: 2013-08-05
• 公開（公告）號: CN103422074A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 梁秉文
• 申請（專利權）人: 光壘光電科技（上海）有限公司
• 主分類號: C23C16/46
• 分類號: C23C16/46;C23C16/458;C23C16/52;C23C16/18
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 楊林;李友佳

1.一種用于沉積工藝的反應腔室，其特征在于，包括：

托盤，用于承載襯底；

加熱器，用于通過加熱托盤對托盤上放置的襯底進行加熱；

進氣單元，設置在所述托盤的遠離所述加熱器的一側，所述進氣單元包括冷卻腔室，所述冷卻腔室內填充有冷卻介質，所述冷卻介質對進氣單元進行冷卻；

溫度探測器，用于檢測托盤或襯底的溫度；

位移裝置，用于基于所述溫度探測器檢測的溫度和目標溫度之間的差值，調整進氣單元與托盤之間的距離。

2.如權利要求1所述的用于沉積工藝的反應腔室，其特征在于，所述位移裝置設于反應腔室頂部，所述進氣單元通過所述位移裝置與反應腔室活動連接，懸置于襯底和托盤上方。

3.如權利要求1所述的用于沉積工藝的反應腔室，其特征在于，所述位移裝置設置于托盤的遠離所述進氣單元的一側。

4.如權利要求3所述的用于沉積工藝的反應腔室，其特征在于，所述托盤下方設置有旋轉裝置，所述旋轉裝置用于支撐托盤并且帶動所述托盤進行旋轉運動，所述位移裝置位于所述旋轉裝置下方，所述位移裝置通過調整所述旋轉裝置與進氣單元之間的距離，來調整所述旋轉裝置上方的托盤與所述進氣單元的距離。

5.如權利要求1所述的用于沉積工藝的反應腔室，其特征在于，還包括：

溫度控制器，用于接收來自溫度探測器獲得的溫度數據，用于將所述溫度數據與目標溫度比較，基于所述比較結果確定距離調整方式，并將所述距離調整方式的指令輸入至所述位移裝置，控制所述位移裝置調整托盤與進氣單元之間的距離。

6.如權利要求5所述的用于沉積工藝的反應腔室，其特征在于，所述距離調整方式的指令包括：

增大托盤與進氣單元之間的距離的指令，用于提高托盤溫度；

減小托盤與進氣單元的之間的距離的指令，用于降低托盤溫度；

維持托盤與進氣單元之間的距離保持不變的指令，用于維持托盤溫度不變。

7.一種反應腔室中托盤溫度的調節方法，其特征在于，反應腔室包括：用于承載襯底的托盤；用于通過對托盤上放置的襯底進行加熱的加熱器；用于輸送反應氣體的進氣單元，設置在所述托盤的遠離所述加熱器的一側，所述進氣單元還包括用于對進氣單元進行冷卻的冷卻腔室，所述冷卻腔室內填充有冷卻介質；用于檢測托盤或襯底的溫度的溫度探測器；用于基于所述溫度探測器檢測的溫度和目標溫度之間的差值，調整進氣單元與托盤之間的距離的位移裝置；

其托盤溫度的調節方法包括：

獲得托盤或托盤上襯底的溫度；

將所述托盤或托盤上的襯底的溫度與目標溫度相比較，若所述托盤或托盤上的襯底的溫度低于目標溫度，則增大所述托盤與進氣單元之間的距離，以減少所述進氣單元的冷卻單元從托盤吸收的熱量；若所述托盤或托盤上的襯底的溫度高于目標溫度，則減小所述托盤與進氣單元之間的距離，以增大所述進氣單元的冷卻單元從托盤吸收的熱量；若所述托盤或托盤上的襯底的溫度與目標溫度相同，則維持所述托盤與進氣單元之間的距離不變。

8.如權利要求7所述的調節方法，其特征在于，所述反應腔室為MOCVD反應腔室，所述托盤或托盤上襯底的溫度通過溫度探測器獲得。

9.如權利要求8所述的調節方法，其特征在于，所述溫度探測器熱電偶，所述熱電偶通過測試獲得或對該托盤或托盤上襯底的吸收光譜特性曲線測試獲得。

10.如權利要求7所述的調節方法，其特征在于，通過移動所述進氣單元在反應腔室中的位置，調整所述托盤與進氣單元之間的距離。

11.如權利要求7所述的調節方法，其特征在于，通過移動所述托盤在反應腔室中的位置，調整所述托盤與進氣單元之間的距離。