[發明專利]導電薄膜、其制備方法及應用

無效

• 申請號: 201310337079.2
• 申請日: 2013-08-05
• 公開（公告）號: CN104339746A
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發明（設計）人: 周明杰;陳吉星;王平;馮小明
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: B32B9/04
• 分類號: B32B9/04;B32B15/04;C23C14/08;C23C14/18;H01L51/54
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

技術領域

本發明涉及半導體光電材料，特別是涉及導電薄膜、其制備方法、使用該導電薄膜的有機電致發光器件的基底、其制備方法及有機電致發光器件。

背景技術

導電薄膜電極是有機電致發光器件（OLED）的基礎構件，其性能的優劣直接影響著整個器件的發光效率。其中，氧化鎘的摻雜半導體是近年來研究最廣泛的透明導電薄膜材料，具有較高的可見光透光率和低的電阻率。但要提高器件的發光效率，要求透明導電薄膜陽極具有較高的表面功函數。而鋁、鎵和銦摻雜的氧化鋅的功函數一般只有4.3eV，經過UV光輻射或臭氧等處理之后也只能達到4.5～5.1eV，與一般的有機發光層的HOMO能級（典型的為5.7～6.3eV）還有比較大的能級差距，造成載流子注入勢壘的增加，妨礙發光效率的提高。

發明內容

基于此，有必要針對導電薄膜功函數較低的問題，提供一種功函數較高的導電薄膜、其制備方法、使用該導電薄膜的有機電致發光器件的基底、其制備方法及有機電致發光器件。

一種導電薄膜，包括層疊的MgO層，導電層及Co₃O₄層，其中導電層的材料選自金，銀，銅和鉑中的一種。

所述MgO層的厚度為40nm～160nm，所述導電層的厚度為5nm～40nm，所述Co₃O₄層的厚度為1nm～10nm。

一種導電薄膜的制備方法，包括以下步驟：

將MgO靶材及襯底裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；

在所述襯底表面濺鍍MgO層，濺鍍所述MgO層的工藝參數為：基靶間距為45mm～85mm，濺射功率為80W～200W，磁控濺射工作壓強0.2Pa～2Pa，工作氣體的流量為15sccm～35sccm，襯底溫度為200℃～700℃，得到MgO薄膜基板；

然后將MgO薄膜基板放入蒸鍍設備腔體中，調節真空腔體的真空度為1.0×10^-3Pa～1.0×10^-6Pa，

在所述MgO層表面蒸鍍導電層，蒸鍍所述導電層的工藝參數為：蒸鍍速率0.5～3nm/s，蒸鍍時間10～80s，所述導電層的材料選自金，銀，銅和鉑中的一種；

在所述導電層表面蒸鍍Co₃O₄層，蒸鍍所述Co₃O₄層的工藝參數為：蒸鍍速率0.2～2nm/s，蒸鍍時間5～50s，及

剝離所述襯底，得到所述導電薄膜。

所述MgO靶材由以下步驟得到：將MgO粉體在800℃～1400℃下燒結制成靶材。

所述MgO層的厚度為40nm～160nm，所述導電層的厚度為5nm～40nm，所述Co₃O₄層的厚度為1nm～10nm。

一種有機電致發光器件的基底，包括依次層疊的襯底、層疊的MgO層，導電層及Co₃O₄層，其中導電層的材料選自金，銀，銅和鉑中的一種。

所述MgO層的厚度為40nm～160nm，所述導電層的厚度為5nm～40nm，所述Co₃O₄層的厚度為1nm～10nm。

一種有機電致發光器件的基底的制備方法，包括以下步驟：

將MgO靶材及襯底裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；

在所述襯底表面濺鍍MgO層，濺鍍所述MgO層的工藝參數為：基靶間距為45mm～85mm，濺射功率為80W～200W，磁控濺射工作壓強0.2Pa～2Pa，工作氣體的流量為15sccm～35sccm，襯底溫度為200℃～700℃，得到MgO薄膜基板；

然后將MgO薄膜基板放入蒸鍍設備腔體中，調節真空腔體的真空度為1.0×10^-3Pa～1.0×10^-6Pa，

在所述MgO層表面蒸鍍導電層，蒸鍍所述導電層的工藝參數為：蒸鍍速率0.5～3nm/s，蒸鍍時間10～80s，所述導電層的材料選自金，銀，銅和鉑中的一種；