[發明專利]一種制作嵌入式閃存的方法

有效

• 申請號: 201310335564.6
• 申請日: 2013-08-02
• 公開（公告）號: CN104347516B
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發明（設計）人: 陳建奇
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L27/11517
• 分類號: H01L27/11517
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所11336
• 代理人: 董巍,高偉

1.一種制作嵌入式閃存的方法，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底具有閃存單元區域和邏輯電路區域；

在所述半導體襯底上依次形成第一多晶硅層和第二多晶硅層，所述閃存單元區域中的所述半導體襯底和所述第一多晶硅層之間還形成有浮置柵極和柵極介電層；

在所述第二多晶硅層上形成圖案化的光刻膠層；

根據所述圖案化的光刻膠層去除所述邏輯電路區域中的所述第一多晶硅層和所述第二多晶硅層；

去除所述圖案化的光刻膠層；

在所述半導體襯底上依次形成第三多晶硅層和犧牲層；

去除所述閃存單元區域中的所述犧牲層；

采用平坦化工藝去除所述閃存單元區域中的所述第三多晶硅層；

去除所述邏輯電路區域中殘留的所述犧牲層。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，采用濕法清洗工藝去除所述閃存單元區域中的所述犧牲層。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，采用化學機械研磨執行所述平坦化工藝。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，采用濕法清洗工藝去除所述邏輯電路區域中的所述犧牲層。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在形成所述第一多晶硅層之后采用光刻工藝刻蝕所述閃存單元區域中的所述第一多晶硅層以形成多個溝槽的步驟。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，采用干法刻蝕去除所述邏輯電路區域中的所述第一多晶硅層和所述第二多晶硅層。