[發明專利]硅電池上生長氮鎵銦系的三結太陽能電池在審
| 申請號： | 201310335019.7 | 申請日： | 2013-08-01 |
| 公開（公告）號： | CN104347747A | 公開（公告）日： | 2015-02-11 |
| 發明（設計）人： | 張啟明;王帥;高鵬;吳艷梅;劉如彬;孫強;肖志斌 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第十八研究所 |
| 主分類號： | H01L31/0687 | 分類號： | H01L31/0687;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 天津市鼎和專利商標代理有限公司 12101 | 代理人： | 李鳳 |
| 地址： | 300384 天津*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電池 生長 氮鎵銦系 太陽能電池 | ||
1.硅電池上生長氮鎵銦系的三結太陽能電池，自下至上包括Si底電池、InxGa1-xN第一電池和InyGa1-yN第二電池，Si底電池由n-Si襯底和p-Si層構成；所述p-Si層上面至InxGa1-xN第一電池之間依次有AlN成核層和GaN緩沖層，InxGa1-xN第一電池和InyGa1-yN第二電池之間有隧道結，其特征在于：所述n-Si襯底下面制有負電極；所述InyGa1-yN第二電池上面制有半透明電流擴展層、半透明電流擴展層上制有正電極。
2.根據權利要求1所述的硅電池上生長氮鎵銦系的三結太陽能電池，其特征在于：所述半透明電流擴展層為ITO薄膜；ITO薄膜上表面涂有光刻膠作為保護區，涂有光刻膠的ITO薄膜上光刻有梳狀凹槽作為正電極區域，所述正電極一端置于正電極區域內。
3.根據權利要求1所述的硅電池上生長氮鎵銦系的三結太陽能電池，其特征在于：所述正電極為自下至上蒸鍍成一體構成厚度為20nm/60nm的Ni/Au電極。
4.根據權利要求1所述的硅電池上生長氮鎵銦系的三結太陽能電池，其特征在于：所述的負電極為自上至下蒸鍍成一體構成厚度為15nm/15nm/400nm的Ti/Pd/Ag電極。
5.根據權利要求2所述的硅電池上生長氮鎵銦系的三結太陽能電池，其特征在于：所述的正電極區域的深度為50-100nm。
6.根據權利要求1所述的硅電池上生長氮鎵銦系的三結太陽能電池，其特征在于：所述InxGa1-xN第一電池中0.5≤x≤0.7；所述InyGa1-yN第二電池中0.3≤y≤0.5。
7.根據權利要求1所述的硅電池上生長氮鎵銦系的三結太陽能電池，其特征在于：所述隧道結包括Mg摻雜的p+-InxGa1-xN層和Si摻雜的n+-InxGa1-xN層，其中0.5≤x≤0.7。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
