[發明專利]等離子體處理方法以及等離子體處理裝置

有效

• 申請號: 201310330382.X
• 申請日: 2013-08-01
• 公開（公告）號: CN104103486A
• 公開（公告）日: 2014-10-15
• 發明（設計）人: 武藤悟;小野哲郎;大越康雄;永德宏文
• 申請（專利權）人: 株式會社日立高新技術
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 許海蘭

1.一種等離子體處理方法，是使用等離子體處理裝置的等離子體處理方法，所述等離子體處理裝置具備：對試樣進行等離子體處理的等離子體處理室、供給等離子體生成用的第一高頻電力的第一高頻電源以及對載置所述試樣的試樣臺供給第二高頻電力的第二高頻電源，所述等離子體處理方法的特征在于：

通過第一脈沖對所述第一高頻電力進行調制，

通過隨著等離子體處理時間的經過逐漸地控制所述第一脈沖的占空比，將等離子體的離解狀態控制為期望的離解狀態。

2.根據權利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于：基于所述試樣的蝕刻形狀控制所述占空比。

3.根據權利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于：設所述脈沖的ON期間的第一高頻電力為能夠穩定地生成等離子體的電力。

4.根據權利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于：

通過第二脈沖對所述第二高頻電力進行調制，

在所述第二脈沖的ON期間，所述第一脈沖也是ON期間。

5.根據權利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于：

通過第二脈沖對所述第二高頻電力進行調制，

使所述第一脈沖的占空比隨著所述等離子體處理時間的經過而逐漸地減少，

使所述第二脈沖的占空比隨著所述等離子體處理時間的經過而逐漸地增加。

6.根據權利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于：

通過第二脈沖對所述第二高頻電力進行調制，

使所述第一脈沖的占空比隨著所述等離子體處理時間的經過而逐漸地增加，

使所述第二脈沖的占空比隨著所述等離子體處理時間的經過而逐漸地減少。

7.根據權利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于：通過使所述第一脈沖的ON期間成為恒定而變更OFF期間來控制占空比。

8.根據權利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于：通過使所述第一脈沖的OFF期間成為恒定而變更ON期間來控制占空比。

9.根據權利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于：所述等離子體是使用CHF₃氣體、CO氣體以及H₂氣體的混合氣體、CHF₃氣體、CO₂氣體以及H₂氣體的混合氣體、C₂F₆氣體、CO氣體以及H₂氣體的混合氣體、或者C₂F₆氣體、CO₂氣體以及H₂氣體的混合氣體中的某一個而生成的。

10.一種等離子體處理方法，是使用等離子體處理裝置的等離子體處理方法，所述等離子體處理裝置具備：對試樣進行等離子體處理的等離子體處理室、供給等離子體生成用的第一高頻電力的第一高頻電源以及對載置所述試樣的試樣臺供給第二高頻電力的第二高頻電源，所述離子體處理方法的特征在于：

通過第一脈沖對所述第一高頻電力進行調制，

通過基于所述試樣的蝕刻深度或者等離子體的阻抗控制所述第一脈沖的占空比而將等離子體的離解狀態控制為期望的離解狀態。

11.一種等離子體處理裝置，具備：對試樣進行等離子體處理的等離子體處理室、供給等離子體生成用的第一高頻電力的第一高頻電源、發生用于對所述第一高頻電力進行調制的第一脈沖的第一脈沖發生器、對載置所述試樣的試樣臺供給第二高頻電力的第二高頻電源以及發生用于對所述第二高頻電力進行調制的第二脈沖的第二脈沖發生器，所述等離子體處理裝置的特征在于還包括：

第一ON/OFF信號發生器，發生控制所述第一高頻電源的ON和OFF的信號；以及

第二ON/OFF信號發生器，發生控制所述第二高頻電源的ON和OFF的信號，

在所述第一脈沖的ON期間時，在所述第一高頻電源從所述第一ON/OFF信號發生器接收到OFF信號的情況下，所述第一高頻電源停止第一高頻電力的供給。